国产内存揭秘：源于奇梦达一千多万份DRAM内存技术资料不论是NAND闪存还是DRAM内存

不论是NAND闪存还是DRAM内存，国内市场几乎都是100%依赖进口，去年进口的存储芯片价值超过1000亿美元，所以国内近年来集中力量发展存储芯片。

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在国内布局的三大存储芯片基地中，紫光旗下的长江存储240亿美元的投资主要是NAND闪存， DRAM内存有福建晋华以及合肥长鑫，前者跟联电合作，因为跟美光产生了专利纠纷被美国制裁，发展前景并不乐观。

国内DRAM内存的希望就剩下了合肥长鑫了，该公司2016年成立，官网资料很有限，只是提到“长鑫存储致力于成为全球领先的半导体IDM企业，不断引进先进的半导体设施，并研发行业顶尖技术。 ”

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不过媒体报道称， 2017年合肥长鑫投资72亿美元兴建12寸晶圆厂以发展DRAM产品，未来完成后，预计最大月产将高达12.5万片规模。

此外， 2017年10月份兆易创新宣布与合肥市产业投资控股（集团）有限公司合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器（含DRAM等）研发项目，总投资180亿元，合作主体也是合肥产投下属的长鑫公司。

根据长鑫公司之前公布的计划，合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成，设备也开始安装。根据计划，长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品， 2019年三季度推出8Gb LPDDR4 ，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂， 2021年则完成17nn的研发。

长鑫发展DRAM内存的关键不是资金，而是人才及技术，在三星美光SK海力士等公司垄断了全球主要的内存产能及技术之后，长鑫的DRAM内存技术来源是哪里呢？

今天在上海举办的GSA峰会上，长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲，其中就提到了长鑫DRAM内存的技术来源。

根据朱一明所说，长鑫从成立开始，就与国内外技术领先的合作伙伴广泛开展研发合作，如ASML、KLA-Tencor、Lam Research、TEL、Applied Material和TechInsight等，不过DRAM内存技术重要原来则是已经破产的奇梦达。

奇梦达公司是英飞凌半导体剥离出来成立的DRAM芯片公司，早些年还可以在某些显卡上看到他们的GDDR显存，不过奇梦达已经破产多年，但这主要是因为经营不善，奇梦达在DRAM上还是有自己的技术的。

朱一明表示长鑫存储通过与其合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中，这也是公司最初的技术来源之一。长鑫存储在所接收技术和国际合作的基础上，利用专用研发线，展开世界速度的快速迭代研发，已持续投入晶圆超过15000片。