AMD公布3D封装技术：处理器与内存、缓存通过硅穿孔堆叠在一起
目前的智能手机普遍实现了处理器SoC和内存（DRAM）的堆叠式封装（PoP） ， 从AMD日前公布的信息来看 ， PC产品也有望实现类似的技术 。
在Rice Oil&Gas高性能计算会议上 ， AMD高级副总裁Forrest Norrod介绍 ， 他们正跟进3D封装技术 ， 目标是将DRAM/SRAM（即缓存等）和处理器（CPU/GPU）通过TSV（硅穿孔）的方式整合在一颗芯片中 。
其实此前 ， AMD就率先推出了HBM显存产品 ， 实现了GPU芯片和显存芯片整合封装 ， 但那仅仅属于2.5D方案 。
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3D堆叠的好处在于缩短了电流传递路径 ， 也就是会降低功耗 。 不过 ， 3D封装的挑战在于如何控制发热 。
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遗憾的是 ， AMD并未公布更多技术细节 。
AMD称 ， 虽然光刻工艺在精进 ， 但是频率甚至要开始走下坡路 ， 需要一些新的设计助力 。
其实Intel今年也公布了名为Foveros的3D芯片封装技术 ， 将22nm I/O基板、10nm Sunny Core和四核Atom整合在一起 ， 功耗仅7瓦 。
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