怎样评价我国成功研制超高分辨率光刻装备
谢邀!做过一年表面等离子共振(表面等离子激元,SPR或者SPP,下文使用缩写SPP) 并且在这个领域发过一篇文章的“相对专业”人士来回答一下~
这台基于SPP的光刻机虽然可以达到很高的“分辨率”,但是现阶段并不能应用到大家比较关心的芯片制造行业上~
SPP最初兴起于九十年代,这个技术可以突破衍射极限从而得到更高的“分辨率”。这个“分辨率”要打引号是因为基于SPP的光刻技术只能刻蚀周期性花样(无法刻蚀任意图形)。这就导致了SPP光刻技术现阶段的应用前景仅限光栅、光子晶体之类的周期性结构。当然,仅仅光栅、光子晶体本身已经相当重要了(尤其是军事应用)。
此外,这台光刻机还应该是SPP光刻技术第一次正式应用到工业领域(可能也是第一次应用到深紫外光刻领域)。而且这个技术有很好的发展前景,现在这台光刻机使用的是365nm的光源,如果使用现在最先进的193nm 氟化氩准分子激光做光源,有望将“分辨率”提升到12nm(当然,实际肯定不止换一个光源这么简单)。
【怎样评价我国成功研制超高分辨率光刻装备】 至于有评论说新闻图片中“超净间不戴口罩不专业”的,我只想说:您可能没在超净间做过科研(科研对成品率不太看重)。因为超净服是不透气的,如果天天在超净间捂得严严实实泡十几个小时的话可能就直接虚脱了。所以比较常见的做法是:在不接触芯片且离光刻机比较远的时候摘下口罩透透气~ 另外,不戴手套操作电脑也比较常见的~ (这段仅限不怎么考虑成品率的学术界,工业界显然不能这样!) 当然,这段还要加一个限定条件,就是后续测试不麻烦 (一般做光刻科研的后续测试都不麻烦,可能就是测个线宽(分辨率),当然要是做复杂器件可能确实需要比较注意了)。
下面是一些我在评论区的回答,不保证正确性(我是2012-2013年做的SPP、很可能有些回答已经过时了)
知友提问: 22nm不如台积电7nm,是否意味着这个技术已经过时?我的回答: 否。因为7nm是多次曝光之后得到的分辨率、7nm技术单次曝光的分辨率应该在50nm左右(193nm光源倍频之后的衍射极限)。所以22nm是毫无争议的单次曝光最佳分辨率(仅限大规模光刻、不考虑逐点写入式光刻)
知友提问: 文章中提到“现阶段不能应用于芯片制造”,将来是否有可能应用?我的回答: 我觉得以后有可能。因为处理器(存储器类似)的不少区域都是由结构相同的晶体管组成的。也就是说处理器、存储器上是存在周期性结构的。只不过这个周期性结构的每个单体太复杂,现在做不出。我认为主要的技术难点在于能不能发展出适用于SPP的比较好的套刻技术。我猜想对准可能会是个大问题。
知友提问: SPP光刻技术国外有没有在做的?我的回答: SPP光刻国外做的不少,但是在2013年之前应该没有做SPP深紫外光刻的(不知道2013年之后有没有)。另外,希望大家渐渐适应这种“国外没人做”的科研、尽量能够客观地审视这种成果。之前的例子有:量子保密通信、量子雷达,都是国外没人做的东西,但是咱们做出来之后国外纷纷开始效仿。
■网友
不管怎么说,芯片核心设备光刻机研发取得了突破!从无到有,从有到优!同时希望ASML别跟谁老美脚步禁售中国芯片制造核心设备,要不然芯片崛起之路更加艰难!
■网友
借用杜甫的一首诗来表达喜悦之情
剑外忽传收蓟北,初闻涕泪满衣裳。
却看妻子愁何在,漫卷诗书喜欲狂。
白日放歌须纵酒,青春作伴好还乡。
即从巴峡穿巫峡,便下襄阳向洛阳。
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