iPhone4S里面的软件应用装多了，质量会不会越来越大忽略灰尘、水分、空气等影响。
不会。如果要往下看，请先看一下 @甘氨酸的答案，原理部分他说过了，我就不说了。当电子“注入”时，其实是电子转移到这里，这个电子的来源并不是通过电源进来的，因为电源不会给任何一个设备注入电子，也就是说所谓的“电流流入”只是电子经过，而不是电子注入。这个电子是从闪存存储单元的其他部分（也就是与浮空栅存在电势差的另一极）转移到浮空栅里面的，所以只是电子的转移而不是电子的注入。故，质量不会增加。当然，这里没考虑相对论。
■网友
10.29. 经大大@xinhe sun 更正…我得出了个错误的结论…事实上是不会的…具体看这位大大的回答吧…好愧对8个点赞的小伙伴…===============/w\\不行这个问题脑洞好大,,,先给答案...会。iphone储存数据使用的是NAND闪存，其工作原理是利用隧道击穿效应，将电子注入MOS管的栅极...具体的话...从某百百科拉点图吧/P.S.wiki居然只有NOR的...给他差评/闪存结合了EPROM的高密度和EEPROM结构的变通性的优点。
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路如下图所示。常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在 绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（例如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0.若浮空栅极不带电，则不能形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。
【iPhone4S里面的软件应用装多了，质量会不会越来越大忽略灰尘、水分、空气等影响。】 
EEPROM基本存储单元电路的工作原理如图2.2所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅极的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。
闪存的基本单元电路与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。
所以...你存入数据实际增加了【电子】的质量哇...
另，对于机械硬盘的话，见硬盘的重量会因为储存的数据量发生变化吗？@谢才子 大大的答案
硬盘是磁介质存储数据，空置时候实际存储的是表示空的数据，新买来的排列顺序是0000000000000000000000000......，格式化之后加了一些表示符指定块大小、分区格式等。存储数据之后，排列顺序变成诸如1010101010100000000000001111111111111101，改变了磁极性（南北极），并没有物质的变化（电子啊、光子啊、原子啊、中子啊、质子什么的几乎没变化）。所以，数据有没有加载，不影响磁盘重量。可以认为物质本身已经包含了数据，我们人类存储数据只是改变了原有的数据，数据的数量没有变化。
■网友
提问不如自己称一下============2014-10-30更新：如果说MOS浮栅冲入了电荷而“变重”，那么同时沟道区及周围的材质由于库仑力也排斥了等量的电荷，所以总体维持电荷不变。我原先的回答只是想吐下槽而已，因为这种问题实在是无穷多而且毫无意义。比如可以换个问法电容器充电后有没有质量变化？或者还可以问：排除生长的因素，人记忆的东西越多大脑会不会变重？或者运行10小时后的电脑会不会比刚开机时重？正经的说，数据的本质是通过“有序的状态”进行表达的信息，物质不过是载体而已。考虑信息的重量就是钻牛角尖了
推荐阅读
- 非计算机专业想要利用课余时间深入自学C++，想要找到比较体面的工作大概需要啥水平
- 这样的情况我该咋办
- 贵州对于大数据有哪些方面的地域优势为啥都是贵州呢
- 想要找图形图像方面的CTO合伙人，怎样寻找靠谱
- 提问知乎：容联云通讯是咋付费删负面的
- 网络存储，数通，安全，这三个方面的工程师主要都是干啥，在现今那个技术找工作容易些呢
- 请问这段代码是啥意思，从一个仿造网站上下载的软件里面的，对电脑有危害吗
- 关于环艺 建筑 展示这三方面的网站或书籍杂志推荐
- ucloud售前架构师怎样在销售团队里面的职责主要是啥
- 自己做邮件群发需要学习哪些电脑方面的知识