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量子晶体管的发展会遵循摩尔定律么

卸腰，Arthur Wang和 米奇吉前辈的答案已经分别从两个角度谈了这件事，我支持他们的观点，并根据自己的了解做一些补充。摩尔定律的提出是建立在当时的晶体管生产状况的观察上， 更适合称为「规律」，而集成电路发展到现在，早已不符合最初的摩尔定律，老师提到过，为了拟合不断发展的集成电路技术趋势，后来他们又搞出新摩尔定律什么的，我记得晶体管的理论极限尺寸是3nm，物理极限是5nm，所以对材料和设计的研究都亟需有所突破，已经快逼近天花板了。量子管是一种全新的技术，而摩尔定律，是对现有的事物的发展趋势进行总结的一个规律，不会和量子管扯上什么因果关系，当然为了宣传，可能会有一些联系。
■网友
谢邀 没看懂下面的描述·····
■网友
TFET应该是7NM或者5NM的事吧 现在TFET的主要问题是器件性能太低 VLSI/IEDM intc的发表来看，似乎打算7NM时代用
■网友
摩尔定律指的是集成电路同尺寸下的晶体管的数量每18个月翻一翻，也就是集成电路的集成度增加。 搜狗百科：“摩尔定律并非数学、物理定律，而是对发展趋势的一种分析预测，因此，无论是它的文字表述还是定量计算，都应当容许一定的宽裕度。从这个意义上看，摩尔的预言是准确而难能可贵的，所以才会得到业界人士的公认，并产生巨大的反响。”你说的栅极宽度缩短，当然有利于集成度的提高，但我认为在同等材料，制作工艺的基础上单纯改变栅极宽度是否有待考虑？ 量子晶体管不单单利用隧穿效应，应该还有量子力学方面的一些问题，比如原子操控。未来科技的钥匙：量子点晶体管另一方面，讲到遂穿效应，的确具有节能减低功耗的作用，这一技术已经很早应用在MOS器件上，我们平常用的存储器RAM等都已广泛普及，这一技术的优势是在擦除和写入的时候使用的电压更小。回答问题：1.摩尔定律不仅建立在栅极宽度缩小（线宽减小），还有器件半导体材料研究（SiC，GaN等），光刻工艺（设备方面）提高，甚至还有布局布线（集成电路设计）的功劳。2.量子水平的晶体管将有全新的技术支撑，摩尔定律在场效应晶体管发展到今天都快崩溃了，自然是无法描述量子晶体管的发展了。量子晶体管的集成度增长规律会受到哪些因素制约？至于会不会有类似的规律可以去概括？啊~人类太自信了。很希望共同探讨。
■网友
谢邀。 ~~我是外行。也许所答非所问。
最近追了几篇关于工艺，Foundries 的文章，两个感觉：1，28nm是个重要工艺结点 2，7nm一定可以有，但是7nm之后，大家意见会分歧很大，会是生死分界线。选错Foundry，就是钱打水漂的感觉。
我把我看的文章列在下面，供大家参考。
【量子晶体管的发展会遵循摩尔定律么】 Intel, Foundries Diverge at 10nm, Intel Sees Falling Transistor Cost While Foundry Costs Rise
http://www.linleygroup.com/mpr/article.php?id=11456How Long Will FinFETs Last? part 1 : Semiconductor Engineering .:. How Long Will FinFETs Last?part 2: Semiconductor Engineering .:. How Long Will FinFETs Last?


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