太平洋电脑网：新型存储器有望卷动千亿美元内存市场 为PC铺道
多年来 ， 存储器制造商一直试图在单个封装中集成动态随机存储器（RAM）和闪存（NAND）的共同优势 ， 但一直收效甚微 。新型非易失性存储器 ， 有望成为技术突破的一个关键 。 其具有类似于 RAM 的运行速度、以及 NAND 的断电非易失特性 。能够瞬时打开、并从上次中断的位置恢复 ， 为即时（Instand-On）PC 的到来而铺平道路 。
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资料图（来自： Intel， via TechSpot ）
经常关注存储技术的朋友 ， 可能或多或少地听说过几种可让 RAM 和 SSD 运行更快、更密集、更节能的新技术 。
另有一些研究试图推动“内存中计算”的方法 ， 从根本上消除了数据在处理器、内存等部件之间往返所导致的性能滞后 。
上述想法都基于如下事实 ， 即将数据写入 DRAM ， 是一种快速且节能的方案 。 可一旦断电 ， 数据的完整性也难以维持 。 此外系统必须不断刷新数据 ， 导致效率不是很高 。
另一方面 ， NAND 是一种相对健壮的数据存储方式 ， 只是写入和擦除的速度太慢 ， 导致存储单元性能下降 ， 难以取代现有的 DRAM。
好消息是 ， 英国兰开斯特大学的研究人员称 ， 他们已经打造了一种新型的非易失性存储器 —— 速度可与 DRAM 媲美 ， 写入能耗却仅为百分之一 。
这项技术被称作 UK III-V 存储器 ， 其基于 20nm 光刻工艺制造 ， 写入时间仅为 5ns（与 DRAM 相当） ， 且提供了类似闪存的简单读取特性 。
更棒的是 ， 这是一种非易失性存储 ， 能够在断电时保持数据的完整性 。
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（UK III-V 原型晶体管）
截至目前 ， 原型装置已能够通过 2.1V 的电压来擦除和编程数据 。 相比之下 ， 典型 NAND 单元需要施加 3V 的擦除电压 。
通过使用交替的 GaSb（锑化镓）和InAs（砷化铟）层 ， 研究团队打造出了所谓的“双阱共振隧道结” ， 并达成了这一目标 。
新型存储单元的工作方式与闪存类似 ， 使用“浮栅”来存储“0”或“1” ， 但此处 InAs 浮栅被不连续的 GaSb 和 AlSb 大导带所隔离 。
简单来说 ， UK III-V 存储器中使用的晶体管 ， 具有更好的开关状态 。 它们被设计为利用两种材料来确保将信息存储特别长的一段时间 。
尽管没有披露读取操作所需的功耗等细节 ， 但首席研究员 Manus Hayne 表示：在重复读取“1”的时候 ， 新型存储器无需重建或不断刷新来确保数据的完整性 。
当然 ， 最让我们感兴趣的 ， 莫过于即使在断电的情况下 ， UK III-V 内存亦可保留数据、并在通电后瞬时返回上上次工作中断的位置 。
Manus Hayne 称 ， 团队正在为新技术申请专利 ， 未来有望搅动 1000 亿美元的 DRAM 和闪存市场 。
【太平洋电脑网：新型存储器有望卷动千亿美元内存市场 为PC铺道】【来源：cnBeta.COM】
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