为啥基于PCI-E的SSD会比基于SATA3的SSD贵那么多
楼上说的对,SSD的成本组成部分中闪存颗粒才是大头。举个栗子,intel 既出SATA 2.5寸的DC S3500 DC S3700,也有PCI-E的 DC P3600 DCP3700, 其中s3500 p3600 p3700在官方技术手册中标注颗粒为intel 20nm mlc nand flash memory.但是官方标注的理论写入量则大不相同。以800GB容量为例,s3500官标450TBW p3600官标4.38PBW s3700 p3700官标均为每天10次全盘写入,也就是14.6PBW(1PB=1024TB),我们先不管s3700,这货都不是20nm制程(s3700是25nm制程)的,而且还用了intel的HET技术,官方手册上说明为intel 25nm HET MLC。。。s3500 p3600 p3700三个都是20nm mlc,在写入量上却相差如此之大(我们暂且认为读写速度主要由接口决定),这三块盘用的mlc颗粒是一样的吗?intel由理由把本来可以写入十几PB盘标成写入几百TB,然后以几千rmb出售吗?这似乎不太可能。-----------------------------------------------------编辑分割线-----------------------------------------------------咱们来比较一下价格,看这里:S3500
S3700
P3600
P3700
以上价格来自:Computer Parts, Laptops, Electronics, and More同样S3700我摆上来只给大伙儿看一下,这货价格已经接近P3600了,但它是25nm制程的,成本自然也就上去了,再加上HET技术(虽然咱不知道这东西到底是怎么提高闪存寿命的)也整上了,所以价格上去了也情有可原。P3600 P3700的价格都甩开同样20nm MLC的S3500好几条街了,而性能、可靠性的提升也非常之大,上面说过,性能(读写速度 IOPS)我们暂且认为主要由主控、算法、总线接口影响,但是可靠性(SSD的写入量Endurance Rating ---TBW/PBW)肯定是由nand flash颗粒决定的。在NAND Flash工厂制造处理过程中,厂商把晶元上最好的那部分Flash晶片挑选出来并用企业级的标准来检测晶片的数据完整性和耐久度。检测完成后,这些晶片被取下来改变内部参数并进行之后的比标准MLC更苛刻的测试。当这些晶片通过测试后,就被定义为eMLC级别组,余下的就成为MLC级别组了。当然更高级别的SLC自然也有厂商这样处理。厂商把最好的那部分选出来定义为eMLC,最好的那部分自然就少了,物以稀为贵......至于mlc和emlc的区别?大概有这么几点(为了写答案,我又特意问了下度娘,复习了一下):1.标称P/E数,34nm镁光的eMLC是30,000次,而MLC则是5000次。2.eMLC擦写操作和编程操作所需要的时间相比MLC更长。(通过内参调整达到增加P/E的目的)
【为啥基于PCI-E的SSD会比基于SATA3的SSD贵那么多】 3.当使用完厂商保证的P/E数后,eMLC的数据保存期一般在3个月,而MLC的数据保存期在1年。
4.相对在的企业级应用下,使用eMLC的稳定性比MLC要高得多,也就是出错的概率更小。我们基本上可以有这样的猜想,p3600 p3700是20nm制程emlc颗粒,至于这其中又有什么区别?p3600是emlc mlc混搭?问intel吧。。
■网友
PCIe 因为带宽更高需要更高速度的主控,价格自然更高。
■网友
题主能改成PCIE么另外主控之类应该不是价格高的因素,华硕也有用SF2281做的PCIE SSD即RAIDR Express。 在SSD的成本中,套料成本只占很小的一部分,闪存等才是大头。可能PCIE版本用好闪存更多吧。
■网友
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