国产最新光刻机突破11nm了吗( 二 ) _国产

而目前光刻机材料如电子特气、光刻胶等也在加速国产化，南大光电目前已经可以生产出7nm的光刻胶，当然，在EDA工具、IC设计上中国依然和国外有较大差距。
EUV光刻机研发进度
而在最艰难的第五代光刻机，则由长春光机所来进行研发，2008年国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”科技重大专项将EUV光刻技术列为“32-22nm装备技术前瞻性研究”重要攻关任务。

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长春光机所联合中国科学院光电技术研究所、中国科学院上海光学精密机械研究所、中国科学院微电子研究所、北京理工大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学开展了“极紫外光刻关键技术研究”项目研究工作。
长春光机所90年代就已经开始预研EUV技术，2017年，长春光机所承担的国家科技重大专项项目“极紫外光刻关键技术研究”顺利通过验收，突破了制约我国极紫外光刻发展的超高精度非球面加工与检测、极紫外多层膜、投影物镜系统集成测试等核心单元技术，成功研制了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统，构建了EUV 光刻曝光装置，国内首次获得EUV 投影光刻32 nm 线宽的光刻胶曝光图形，建立了较为完善的曝光光学系统关键技术研发平台。

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不过，一台 EUV 光刻机重达 180 吨，超过 10 万个零件，需要 40 个集装箱运输，安装调试都要超过一年时间。如此多的零件，一个国家想要完成，难度实在太大，国家目前打算在2035年之前实现EUV光刻机量产。
【国产最新光刻机突破11nm了吗】可以说，此次上海微电子能够在年底量产28nm的immersion式光刻机。不仅能够解决芯片代工被限制的问题，打破国外厂商的对于IC前端光刻机市场的垄断，而且能够覆盖更为广阔的市场需求，促进国产半导体行业的发展。