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实例讲解电机驱动电路应该如何设计 电机驱动( 二 )


图中的IC是一个高压驱动芯片 ， 用于驱动半桥MOSFET 。Vb ， Vs为高压端供电；Ho是高压端的驱动输出；COM为低压驱动供电 ， lo为低压驱动输出；它为Vss数字电路供电 。这个半桥电路的上支路和下支路交替导通 。每当下支路导通 ， 上支路关断时 ， Vs引脚的电位就是下支路功率管Q2的饱和导通压降 ， 基本接近地电位 。此时 ， Vcc通过自举二极管D给自举电容C2充电 ， 使其接近Vcc电压 。当Q2关闭时 ， Vs端的电压将上升 。因为电容两端的电压不会突然改变 ， 所以Vb端的电压接近Vs和Vcc端的电压之和 ， 而Vb和Vs之间的电压仍然接近Vcc 。当Q2开启时 ， C2驱动Q2作为浮动电压源；然而 ， 在Q2开启期间损失的电荷将在下一个周期中被补充 。这种自举供电模式是利用Vs端的电平在高低电平之间不断摆动来实现的 。
由于自举电路不需要浮动电源 ， 所以是最便宜的 。如图所示 ， 自举电路给一个电容充电 ， 电容上的电压根据高端输出晶体管的源极电压上下波动 。图中的d和C2是IR2104用于PWM时应严格选择和设计的元件 ， 并按照一定的规则进行计算和分析；在电路实验过程中进行调整 ， 使电路工作在最佳状态 ， 其中D是一个重要的自举器件 ， 应能阻断DC干线上的高压 。它所承载的电流是栅极电荷和开关频率的乘积 。为了减少电荷损失 ， 应选择反向漏电流小的快恢复二极管 ， 芯片中高压部分的电源来自图信息资源网自举电容C2上的电荷 。为了保证高压电路有足够的能量供应 ， 应适当选择C2的大小 。


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