AMD|Zen3性能再提升15% AMD研究3D缓存多年：带宽超2TB/s
今年底AMD很有可能发布增强版的7nm Zen3处理器，为了对付Intel的12代酷睿Alder Lake，它将用上3D V-Cache缓存技术，额外增加了128MB缓存，总计192MB 。
该技术今年6月份台北电脑展上首次公布，展示用的是一颗锐龙9 5900X 12核心处理器，原本内部集成两个CCD计算芯片、一个IO输入输出芯片 。
经过改造后，它的每一个计算芯片上都堆叠了64MB SRAM，官方称之为“3D V-Cache”，可作为额外的三级缓存使用，这样加上处理器原本集成的64MB，总的三级缓存容量就达到了192MB 。
AMD在其中应用了直连铜间结合、硅片间TSV通信等技术，实现了这种混合式的缓存设计 。
根据AMD的数据，改进之后，对比标准的锐龙9 5900X处理器，频率都固定在4GHz，3D V-Cache缓存加入之后，游戏性能平均提升了多达15％ 。
对于该技术，Techinsights的研究员Yuzo Fukuzaki日前公布了更多细节，称AMD已经研究该技术多年，使用了TSV硅通孔技术将额外的128MB缓存集成到芯片上，面积6x6mm，带宽超过2TB/s 。
他在文章中指出，为了应对memory_wall问题，缓存内存的设计很重要，这是缓存密度在工艺节点上的趋势，逻辑上的3D内存集成可以有助于获得更高的性能 。
随着AMD开始实现Chiplet CPU整合，他们可以使用KGD（Known Good Die）来摆脱模具的低产量问题 。在IRDS（International Roadmap Devices and Systems）中，这一创新预计将在2022年实现 。
TechInsights以反向方式深入研究了3d V-Cache的连接方式，并提供了以下发现的结果：
【AMD|Zen3性能再提升15% AMD研究3D缓存多年：带宽超2TB/s】TSV间距：17μm
KOZ尺寸：6.2 x 5.3μm
TSV数量：粗略估计大约23000个
TSV工艺位置：在M10-M11之间（共15种金属，从M0开始）
文章图片
文章图片
文章图片
推荐阅读
- Bioware|变性人士领军《龙腾世纪》
- AMD|AMD Yes降温！Intel重新夺回x86处理器市场：12代酷睿太猛
- AMD|性能翻倍 功耗飙到850W 消息称RTX 4090 Ti显卡9月上市
- AMD|PassMark：AMD市场份额急转直下 桌面损失10％
- 大学生|和异性多说说话 就觉得恋爱了？63％大学生：同意
- AMD|Intel 12代酷睿单核性能霸榜前十 AMD跌出25名：只能靠Zen4挽回了
- AMD|比AMD/NV抢先上5nm 国产GPU厂商沐曦：自主设计架构
- 罗技|399元高性价比！罗技G412 SE机械游戏键盘图赏
- 微软|新版任务管理器曝光Win11性能新机制：速度提升多达76%
- AMD|AMD Zen3锐龙堆出100MB缓存！官方揭秘细节：精妙之极