研之成理|最新Nature Nanotechnology:给细胞器装个电压表背景介绍本文亮点图文解析( 二 )


e、Voltair共定位(CL)的Pearson相关系数(PCC)与d中相应的内吞标记物以及像素位移(PS) 。
原位测量绝对溶酶体膜电位
首先 , 作者验证了VoltairIM在溶酶体中的作用 , 从电生理学给出了广泛的经验知识 。 将hk293t细胞中VoltairIM标记溶酶体的G和R通道中的荧光图像转换为G/R图像 , 从中可以获得G/R分布 。 考虑到腔为阳性 , 胞质面为阴性 , 溶酶体膜电位为+114mv 。 这与不同细胞类型的电生理学一致 。
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本文插图

▲图3 VoltairIM测量溶酶体膜电位 。
a、用VoltairIM标记的放大溶酶体的电压钳位示意图 。
b、 假彩色图像显示在溶酶体内部小叶上标记的VoltairIM的像素G/R比 , 作为整个溶酶体电压钳位施加的膜电位的函数 。
c、VoltairIM灰色迹线 , 正方形)和VoltairIM(红色迹线 , 圆圈)的传感器响应作为膜电位(PMP , 质膜电位;IMP , 细胞内膜电位)的函数 。 插图:VoltairPM(黑色)和VoltairIM(红色)信号在c中从0到100 mV的百分比变化 。
d、 不同细胞型VoltairIM标记溶酶体的代表性伪彩色G/R图像 。
e、 在V-ATP酶抑制剂巴菲罗霉素(Baf-A1 , 500 nM)、mTORC1抑制剂Torin-1(1μM)、TRPML1激活剂ML-SA1(20μM)和Slo1激活剂NS1619(15μM)存在下 , 测定COS-7、RAW 264.7、BHK-21细胞的溶酶体静息膜电位值(VLy)和HEK 293T值 。
f、 在VoltairIM标记的溶酶体(红色轨迹)和VoltairIM标记的内体(蓝色轨迹)中 , ΔVmem与TRPML1激活时间的时间推移图 。
总结:
本文证明了Na+或K+在建立早期内体高膜电位中的作用 。 再生内膜和质膜表现出相似的电化学特性 。 先前假设可以忽略不计的跨高尔基体网络的膜电位实际上与溶酶体40的膜电位一样高;然而 , 它并不是完全由V-ATPase驱动的 。 通过非侵入性测量细胞器中的膜电位 , 作者可以测试膜电位是如何调节细胞器功能的 。
原文链接:
https://www.nature.com/articles/s41565-020-00784-1


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