芯片|不借助EUV光刻机，国内半导体巨头实现突破！7nm或不再遥远
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芯片是现如今全球科技行业的“命脉” ， 由于美国芯片管理条例的变动 。 如今 ， 台积电已经无法继续向华为提供芯片代工服务 ， 谁也说不好下一家受到打压的企业会是谁 。 如此局面之下 ， 研究国内的半导体制造产业似乎已经成为了定局 。
但在高端的芯片制造工艺上 ， 少不了的就是EUV（极紫外光刻机） 。 如果没有EUV光刻机 ， 在芯片制程工艺上将会面临“无法进行”的难题 。
而在近日 ， 国内一家半导体巨头却传来了好消息 ， 在芯片代工技术上实现国产化的突破 。
据悉 ， 芯动科技在近日宣布 ， 目前已经完成了全球首个FinFET N+1工艺的芯片流片和测试 。 这也意味着国内在不借助EUV光刻机的情况下 ， 完成了一次芯片制程工艺上的突破 。
同时 ， 在FinFET N+1技术中流片和测试的芯片 ， 均采用了国产化的标准进行 。
根据相关数据显示：在进入10nm以下的制程工艺之后 ， 大多数企业要都用到EUV光刻机才能对芯片进行量产 。 但由于相关的技术遭到封锁 ， 我国采购的EUV光刻机 ， 迟迟没有发货 。
而FinFET N+1工艺的出现 ， 为的就是解决国内芯片制造缺少EUV光刻机的问题 。 据悉 ， N+1工艺要比ss8lpp还具有优势 ， 同时不需要采用EUV光刻机就可以进行 。 这个工艺的理想状态 ， 可以对9nm制程左右的芯片进行光刻 。
N+1工艺下对比14nm的制程工艺 ， 性能要提升20% ， 同时功耗降低57% 。 由于采用了大量国有技术标准 ， 这也是目前最有可能 ， 在国内大规模推行的芯片制造方案 。
同时 ， 该芯片巨头还表示 ， 将会不断完善N+1工艺的芯片代工技术 ， 并在明年进入N+2制程的工艺 ， N+2工艺在光刻时的晶体管密度还将有所上升 。
7nm或不再遥远
如今看来 ， 国内半导体行业有越来越多的企业加入进来 ， 这样的局面之下 ， 半导体技术的突破也会愈来愈近 。
在N+1工艺下 ， 能够完成9nm芯片的制造工艺 ， 也就意味着我们距离7nm的芯片制造工艺不再遥远 。 只要时间充裕 ， 中国作为全球最大的半导体芯片消费国 ， 有能力培养属于自己的半导体供应链 。
【芯片|不借助EUV光刻机，国内半导体巨头实现突破！7nm或不再遥远】
此前 ， 苏州的晶锐科技公司就从韩国的海力士SK手中 ， 购买了一台二手的ASML光刻机用于研究 ， 并着重进行光刻胶的研发工作 。
中科院白院长也在前段时间宣布 ， 将面对光刻机等该技术产品进行攻关 。
从华为海思在国庆期间 ， 发布了新的招聘消息 。 其中 ， 面对了四十多个与芯片制造业有关的岗位来进行公开招聘 ， 可能是为了走IDM模式进行布局 。
写在最后
好消息可以说是不断地传来 ， 但笔者认为 ， 在如今的局面之下 ， 国内半导体行业更应当低调发展 。 即便如今N+1工艺有所突破 ， 但芯片的量产问题无法解决之前 ， 还应当是有所保留 。
如今 ， 国内相关政策的积极调整 ， 也更加利于国内的半导体行业进行发展 。 集成电路被升级到一级学科 ， 为国内的集成电路人才培养体系搭建了良好的基础 。 这样的基础人才培养 ， 需要时间才能够见证 。
最后留给大家一个问题 ， 目前 ， EUV（极紫外光刻机）作为10nm以下芯片量产的“门票” ， 你认为我们能够避免使用EUV光刻机 ， 从而寻找其他的解决方案吗？
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