继碳化硅和氮化镓后，日本在重金加码氧化镓
碳化硅和氮化镓号称第三代化合物半导体的双雄 ， 由于其广阔的发展前景 ， 受到广泛的关注 ， 国内众多厂商亦在纷纷布局 。
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然而 ， SiC和GaN并不是唯二选项 。 最近 ， 氧化镓(Ga2O3)再一次走入了业界的视野 ， 凭借其比SiC和GaN更宽的禁带 ， 该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势 。 而在该领域走在全球前列的日本 ， 率先向氧化镓展露了野心 。
据日本媒体最新报道 ， 日本经济产业省（METI）正准备为致力于开发新一代低能耗半导体材料“氧化镓”的私营企业和大学提供财政支持 ， METI将为明年留出大约2030万美元的资金 ， 预计未来5年的投资额将超过8560万美元 。
研究表明 ， 氧化镓的禁带宽度为4.9eV ， 超过碳化硅、氮化镓等材料 ， 采用禁带更宽的材料可以制成系统更薄、更轻、功率更高的功率器件；击穿场强高于碳化硅和氮化硅 ， 击穿场强是碳化硅的两倍 。
虽然氧化镓并不是很新的技术 ， 但在近十年才被应用于功率半导体方向 ， 继而引发全球研发的热潮 。 它面临的主要问题在于导热率低、散热性能差 ， 有分析认为 ， 如若未来氧化镓的散热问题被攻克 ， 氧化镓将是未来高功率、高压运用的功率半导体材料的有力竞争者 。
美国在这方面也在发力 。 据外媒报道 ， 今年4月 ， 美国纽约州立大学布法罗分校（theUniversityatBuffalo）正在研发一款基于氧化镓的晶体管 ， 能够承受8000V以上的电压 ， 而且只有一张纸那么薄 ， 将用于制造更小、更高效的电子系统 ， 用在电动汽车、机车和飞机上 。
日本作为有力的竞争者 ， METI认为 ， 日本公司将能够在本世纪20年代末开始为数据中心、家用电器和汽车供应基于氧化镓的半导体 。 一旦氧化镓取代目前广泛使用的硅材料 ， 每年将减少1440万吨二氧化碳的排放 。
一位专家也向媒体表示 ， “一旦氧化镓成功商业化 ， 将适用于许多领域 ， 因为它可以比其他材料更大幅度地降低半导体制造成本 。 ”
【继碳化硅和氮化镓后，日本在重金加码氧化镓】而在中国 ， 尽管起步较晚 ， 但对于氧化镓的研究也同样在推进 。 （校对/nanana)
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