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科技资讯眺望|存储器芯片教父高启全决定离开紫光集团，之后打算“做自己的事”


科技资讯眺望|存储器芯片教父高启全决定离开紫光集团，之后打算“做自己的事”
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据紫光集团官网公开的信息显示 ， 集团现有的芯片产品覆盖移动通信、物联网、安全/FPGA、存储器和数据通信 。 其中 ， 官网上目前展示的存储器芯片有 ， 国内首款具备自主知识产权的32层3D NAND闪存、全球首款基于Xtacking?架构设计且实现量产的64层3D NAND闪存、业内首款128层QLC 3D NAND闪存、第三代双倍数据速率同步动态随机存取存储器DDR3 。 简而言之 ， 紫光集团已入局NAND闪存和DRAM内存领域 ， 与国际存储器大厂三星电子、海力士、美光等相比 ， 紫光集团暂时是个追赶者的角色 。
在中国台湾地区被业界誉为“DRAM教父”的高启全 ， 曾于2015 年底转战中国紫光集团 ， 协助紫光集团建立存储器事业 。 不过 ， 近期传出 ， 高启全认为阶段性任务已经完成 ， 决定离开紫光集团 。 高启全与紫光集团签下的合约为期五年 ， 2020年9月30日合约到期后 ， 他对于未来另有打算 ， 开拓一番新事业 。

高启全表示 ， “这五年来 ， 很幸运且很开心能与紫光集团董事长赵伟国一起共事 ， 将紫光的存储器事业建立起来 。 ”他还透露 ， “之后要做自己的事 ， 现在不方便多说 ， 到时大家就知道了 。 ”而业界传言 ， 高启全下一步可能仍在中国大陆布局与半导体相关的事业；也有传闻称 ， 他可能会自立门户 。
高启全学生时期赴美国留学毕业后 ， 曾在英特尔任职 ， 1987年回到中国台湾担任台积电6吋厂厂长 ， 在台积电工作2年后 ， 于1989年与现任旺宏董事长吴敏求一起创办旺宏 。 1995年时 ， 高启全受到延揽 ， 进入南亚科担任执行副总 ， 期间押宝DDR规格 ， 击败当时由英特尔主导的 Rambus DRAM ， 成为现在的DRAM存储器规格的主流；2004年英飞凌与南亚科注资成立华亚科时 ， 高启全担任南亚科总经理 ， 之后又接棒华亚科董事长 。
高启全在DRAM存储器芯片产业界历练了超过30年 ， 处事态度情商高 ， 加上企图心强 ， 曾经带领南亚科与华亚科顺利走出经营颓势 ， 成为中国台湾地区DRAM存储器大厂 ， 且两度化解经营困境 ， 也完成与美光的技术合作 。
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高启全

当时 ， 对台塑集团来说 ， 高启全是一次次带领南亚科与华亚科杀出重围的头号战将；对中国台湾地区DRAM存储器产业而言 ， 高启全是产业向前发展的重要推手 ， 因此他在中国台湾被业界视为存储器芯片产业中的教父级人物——台湾“DRAM教父” 。
高启全2015年10月决定退休 ， 转战中国紫光集团时刻 。 高启全当时在发给南亚科与华亚科员工的信里强调 ， 离开南亚科是因为面对强大的竞争对手 ， 必须结合两岸优势 ， 共同整合全球存储器版图 。
为联手美光 ， 打造美国及两岸存储器产业联合阵线 ， 从而对抗独霸一方的三星 ， 是高启全转战紫光集团的最大目标 。 不过 ， 根据近两年全球半导体产业情势的变化以及目前的现状 ， 高启全当初有意打造的联合阵线 ， 恐怕难以达成 。
高启全加入紫光集团后 ， 帮助紫光打造NAND闪存事业 ， 紫光集团旗下长江存储已经成功开发出Xtacking技术 ， 积累属于自己的3D NAND专利 ， 于2020年4月完成研发128层3D NAND闪存芯片 ， 要以3D NAND闪存技术 ， 快速追赶三星、SK海力士等国际一线闪存芯片大厂 。

高启全在紫光集团担任全球执行副总裁、长江存储执行董事及代行董事长、武汉新芯执行长等职务 ， 当初转战紫光的契机 ， 是因与紫光集团董事长赵伟国相谈后 ， 发现双方在发展存储器产业上的方向与想法一致 ， 也有共同目标 ， 要对抗在存储器芯片领域独霸一方的三星 ， 便于2015年10月时转战紫光集团 。
2016年时 ， 紫光国芯与武汉新芯两家公司合并 ， 成立长江存储 ， 在国家大基金全力扶植下 ， 长江存储不到 4年时间便快速崛起 ， 于2018年8月在美国发布 Xtacking 技术 ， 累积自己的3D NAND专利 ， 2019 年底陆续推出32层、64层3D NAND闪存芯片 ， 又直接跳过96层 ， 于2020年4月宣布完成研发128 层3D NAND闪存芯片 。
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紫光集团旗下：长江存储128层QLC 3D NAND闪存芯片
长江存储在发展3D NAND闪存芯片的初期 ， 就取得专利授权 ， 在此基础上研发32层3D NAND ， 但从64 层起 ， 便走向独立自主开发 。 高启全认为 ， 自主开发得用合法方式来获得 ， 不能窃取技术 ， 才能吸引全球人才、打造国际化的规格 ， 而Xtacking技术 ， 就是代表长江存储最重要的自主知识产权 。

随着长江存储对外展示自己的研发能力 ， 在技术上大步前进 ， 扩产计划也如火如荼进行中 ， 目前武汉厂月产能10万片 ， 且在逐步完成武汉厂区剩余两座厂房的兴建与扩产 ， 也规划在成都新厂建设10万片产能 ， 待2021年完工后 ， 总产能将扩增至30万片 。
在紫光集团正加速发展DRAM内存芯片事业、2020年底前将动工兴建重庆DRAM厂之际 ， 如今传出高启全决定离开紫光集团 。 未来紫光集团旗下DRAM事业布局将由前尔必达（Elpida）社长、现任紫光高级副总的坂本幸雄接手 。
紫光集团在3D NAND产业成功站稳脚步后 ， 继续布局DRAM产业 。 在2019年宣布组建DRAM事业群 ， 高启全担任执行长 。 高启全也找来前日本DRAM厂尔必达社长坂本幸雄 ， 一起加入DRAM事业群 ， 协助紫光网罗存储器领域人才 ， 以及DRAM事业的规划 。
坂本幸雄曾表示 ， 将帮助紫光集团在DRAM事业上清白地自主研发 ， 他也认为中国设备要国产化 ， 还要再给10年的时间 。 坂本幸雄曾指出 ， 过去DRAM市场有非常多的企业进行激烈竞争 ， 洗牌战后 ， 现在只剩下三星电子、SK海力士、美光科技三家DRAM厂商垄断全球市场 ， 而紫光集团的目标是要借助推进技术开发 ， 加入到此赛道中 。
坂本幸雄还指出 ， DRAM制造需要高度的整合技术 ， 新加入者的挑战是非常高的难度 ， 因此紫光集团将通过集中招聘技术人员加以突破 。
（本文综合自钜亨网、问芯Voice、紫光集团官网等 ， 我为科技狂整理）
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