光刻机|国产光刻机的高光时刻:1972年
1972年 , 武汉无线电元件三厂编写的《光刻掩膜版的制造》32开66页 , 证实中国芯片光刻工艺研究的起步时间 , 比美国稍晚 , 跟日本差不多同时起步 , 比台韩早了10年 。
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1972年武汉无线电元件三厂
1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机;1970年代 , 中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺;清华大学研制第四代分部式投影光刻机 , 并在1980年获得成功 , 光刻精度达到3微米 , 接近国际主流水平 。 而那时 , 光刻机巨头ASML还没诞生 。
然而 , 中国在1980年代放弃电子工业 , 导致20年技术积累全部付诸东流 。 1994年武汉无线电元件三厂破产改制 , 卖副食品去了 。
我国光刻机研制历史
1965年中国科学院研制出65型接触式光刻机 。
1970年代 , 中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺 。
【光刻机|国产光刻机的高光时刻:1972年】1972年 , 武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》 。
1977年 , 我国最早的光刻机-GK-3型半自动光刻机诞生 , 这是一台接触式光刻机 。
1978年 , 1445所在GK-3的基础上开发了GK-4 , 但还是没有摆脱接触式光刻机 。
1980年 , 清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功 , 光刻精度达到3微米 , 接近国际主流水平 。
1981年 , 中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机 。
1982年 , 科学院109厂的KHA-75-1光刻机 , 这些光刻机在当时的水平均不低 , 最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年 。
1985年 , 机电部45所研制出了分步光刻机样机 , 通过电子部技术鉴定 , 认为达到美国4800DSW的水平 。 这应当是中国第一台分步投影式光刻机 , 中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年 。
但是很可惜 , 光刻机研发至此为止 , 中国开始大规模引进外资 , 有了"造不如买”的思想 。 光刻技术和产业化 , 停滞不前 。 放弃电子工业的自主攻关 , 诸如光刻机等科技计划被迫取消 。
九十年代以来 , 光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年 , 这个技术非常关键 , 这直接导致ASML如此强势的关键 。 直到二十一世纪 , 中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目 , 足足落后ASML20多年 。
进入二十一世纪 ,光刻机研发重新被国家所重视 , 并于2002年成立SMEE(上海微电子) , “我们现在做这个东西 , 难度不亚于生产大飞机 , 影响力不低于当初研究原子弹 。 ”
2002年 , 刚刚成立的SMEE上海微电子装备有限公司承担了“十五”光刻机攻关项目 , 中电科45所把此前从事分步投影光刻机的团队迁到了上海 , 参与这个项目 。
2008年 , “极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项将ASML的EUV技术列为下一代光刻技术重点攻关的方向 。 国家计划在2030年实现EUV光刻机的国产化;
2015年4月 , 北京华卓精科科技股份有限公司“65nmArF干式光刻机双工件台”通过整机详细设计评审 , 具备投产条件 。
2016年 , 上海微电子已经量产90纳米、110纳米和280纳米三种光刻机 。
2017年6月21日 , 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头研发的“极紫外光刻关键技术”通过验收 。
2018年11月29日 , 中科院研制的“超分辨光刻装备”通过验收 。 光刻分辨力达到22纳米 , 结合双重曝光技术后 , 未来还可用于制造10纳米级别的芯片 。
SMEE计划2021年交付首台国产的28nm的immersion光刻机 , 和世界上最先进的ASML公司仍然具有20年左右的差距 。
目前世界光刻机行业的现实情况 , 排在SMEE前面的参赛选手只剩下了3名 , 荷兰的ASML , 日本的佳能和尼康 。 论分数 , ASML如果是100分 , 佳能大概20分 , 尼康大概25分 , SMEE大概5分 。
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