中芯国际|中芯国际技术大跃进：官宣N+1制程，年底即可试产
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要说芯片技术这部分 ， 放眼全球 ， 台积电应该是没有争议的老大 ， 目前台积电已经搞定了5nm制程 ， 正在向着3nm工艺迈进；其次就要算三星了 ， 三星虽然进程不如台积电 ， 5nm也还没有正式量产 ， 不过三星也在积极开发3nm制程 ， 而且在5nm制程上会用上更为先进的技术 。
而国内在这一领域的龙头厂商 ， 自然是中芯国际了 ， 中芯国际之前已经攻克了14nm制程工艺的难关 ， 虽然良率还不够让人满意 ， 但从去年开始中芯国际就已经量产了14nm FinFET制程 ， 这一技术也满足了国内95%的芯片生产 。 此外 ， 在12nm工艺上 ， 中芯国际也取得了突破 ， 虽然12nm FinFET技术是由14nm FinFET改良而来 ， 但也进入了客户导入阶段 ， 不出意外的话 ， 明年应该可以量产 。 搞定了14nm和12nm ， 中芯国际自然要研发新的技术 。
很早之前就有传中芯国际有一个N+1的制程 ， 并且基本已经成功研发 。 而近日中芯国际正式宣布：自己在2020年底成功研发全新N + 1制程 ， 并预计在2020年底进行小批量试产 ， 2021年可望进入量产阶段 。 中芯国际同时宣布 ， 相较现在中芯国际所拥有的14nm制程 ， N+1制程在性能上能提升20％ ， 功耗方面则可降低57％ ， 同时芯片逻辑面积缩小63％ ， SoC面积缩小55％ 。 所以称N+1制程是中芯国际技术上的一次飞跃 ， 并不夸张 。
从技术上而言 ， N+1自然会继续使用FinFET技术 ， 这也是中芯国际自己的第二代FinFET技术 ， 之前的14nm和12nm都属于第一代FinFET技术 。 N+1实际上是中芯国际自己内部的一个代号 ， 具体是什么制程 ， 目前中芯国际并没有公布 。 不过业界普遍认为 ， N+1实际上就是中芯国际自己的10nm制程 ， 而N+2则正在研发中 ， 制程依然为10nm ， 不过应对的是高性能芯片 。
N+1的制程 ， 如果放在国际上 ， 肯定算不上领先 ， 但是这已经是国内芯片厂商目前的在芯片生产上的技术天花板了 。 而且更关键的是 ， 中芯研发的N+1制程 ， 并没有采用EUV技术 ， 所以也就不需要花天价去购买荷兰ASML的EUV光刻机 ， 这样在10nm制程的芯片生产中 ， 在成熟后也无需花费过多的成本 。
此外之前我们也已经报道过 ， 随着技术的提升和芯片制程的进化 ， 目前中芯国际使用的的DUV深紫外光刻机已经无法满足精度的要求 ， 而中芯国际购买的EVU光刻机一直没有实装 。 所以这也让国内芯片厂商在核心科技自研发的道路上走得越发坚定 。
【中芯国际|中芯国际技术大跃进：官宣N+1制程，年底即可试产】除了N+1制程的成功研发 ， 中芯国际为了降低美国对中国半导体行业的影响 ， 据说正在进行去美国化计划 。 中芯国际期望在年底前完全不使用外国技术及设备下 ， 实现全国产供应链40nm芯片的试产 ， 并且期待在3年内生产更先进的28nm制程 ， 期望在技术上可做到自给自足 。
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