物联网|e络盟供货安世半导体功率氮化镓场效应晶体管
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全球电子元器件与开发服务分销商e络盟宣布供应安世半导体最新系列功率氮化镓场效应晶体管（GaN FET） 。 该创新系列GaN FET外形尺寸小 ， 可实现高功率密度及高效率功率转换 ， 能够以较低的成本开发出更高效系统 ， 同时还可助力电动车、5G通信、物联网等应用改进电源性能 。 随着越来越多的立法提高碳排放减排要求 ， 实现更高效的功率转换和更高的电气化水平势在必行 。 GaN FET这一创新系列为设计工程师提供了真正解决这些问题的有效方案 。
本文插图
GaN技术突破了硅基IGBT和SiC等现有技术的诸多局限 ， 可为各种功率转换应用带来直接和间接的性能效益 。 在电动车领域 ， GaN技术可直接降低功率损耗 ， 从而为汽车实现更长的行驶里程 。 同时 ， 更高效的功率转换还能降低使用冷却系统进行散热的需求 ， 这有利于减轻车身重量并降低系统复杂性 ， 继而可实现更长的行驶里程 ， 或是使用更小的电池达到相同的里程 。 功率GaN FET也非常适用于数据中心、电信基础设施及工业领域应用 。
GaN FET系列可为各种方案应用提供卓越性能 ， 包括AC-DC图腾柱PFC硬开关应用、LLC移相全桥软开关应用（谐振或固定频率）、所有DC-AC逆变器拓扑以及使用双向开关的AC-AC矩阵式转换器等 。
主要优势包括：
? 栅极驱动简单、低 RDS(on)及快速开关
? 卓越的体二极管（低Vf）、低反向恢复电荷 Qrr
? 坚固耐用
? 低动态 RDS(on)
? 开关性能稳定
? 栅极驱动抗干扰性强 (Vth ~ 4 V)
【物联网|e络盟供货安世半导体功率氮化镓场效应晶体管】Farnell及e络盟全球半导体与单板计算机总监Lee Turner表示：“安世半导体以其丰富多样的创新半导体产品而享誉全球 。 我们很高兴能够引入安世半导体的功率GaN FET系列 ， 以便进一步提升对客户的支持服务 。 GaN是高效电源设计领域的前沿技术 ， 此次引入的这些新产品将是未来创新物联网、汽车和通信设计方案的关键组成部分 。 ”
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