三星和韩科院已就FinFET技术专利诉讼达成和解
【三星和韩科院已就FinFET技术专利诉讼达成和解】集微网消息（文/holly） ， 据韩媒TheElec报道 ， 三星和韩国科学技术院（KAIST）已就FinFET技术专利诉讼达成和解 。
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图源：TheElec
据悉 ， 涉案的FinFET专利允许芯片在提高性能的同时降低功率 ， 最初由KAIST和首尔国立大学教授LeeJong-ho合作开发 ， 并于2001年在美国和韩国获得了该项技术的专利 。
KAIST于2016年11月29日在美国德克萨斯州地方法院对三星、高通和GlobalFounderies提起诉讼 ， 指控他们在未经许可的情况下使用了其FinFET专利 。 2018年6月 ， 陪审团裁定三星的侵权金额达4亿美元 。
此外 ， KAIST于2019年2月再次起诉三星 ， 声称尽管有之前的判决 ， 三星仍在继续侵犯专利 。 并指出三星在其应用处理器中使用的14、11、10、8和7nmFinFET技术侵犯了其专利 ， 将三星自2016年起推出的智能手机列为侵权产品 。
今年2月 ， 法院裁决三星赔偿2亿美元 。 不过现在三星和KAIST已达成和解 ， 交易的详细条款还尚未得知 。
（校对/零叁）
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