幸福一箩筐|超详细！搞懂内存条颗粒频率时序，附DDR4内存条推荐( 三 )
内存厂商会把体质好的颗粒做成高频内存 ， 比如3000MHz、3200MHZ的内存；体质相对比较差的就做成低频内存 ， 比如2400MHz、2666MHz等 。
内存条上标注的频率并不是这根内存工作的频率 ， 而是这根内存工作时能稳定承受的频率 。 主板厂商并不能自动识别你这条内存体质的好坏 ， 所以主板厂商为了能够保证内存条能稳定工作 ， 都会把内存的频率默认设置为2400MHz 。 买了高频内存的朋友 ， 需要在主板BIOS中重新设置内存频率才能达到内存宣称的频率的 。
4.4 单通道、双通道内存的单通道跟双通道 ， 可以理解成单车道和双车道 。 双通道就是使用双车道来传输数据 ， 同一款内存下 ， 双通道内存的速度是单通道内存速度的一倍左右 。
如果你正在装机 ， 预算并不是特别充足 。 千万不要把钱砸在高频单通道内存上 ， 买两个普通内存条组双通道才是真理 。
如果你是土豪 ， 主板上的内存插槽必须全部插满 ， 必须全部都是高频内存 。 那么还需要注意你的主板支不支持高频内存条 ， 以英特尔平台主板为例 。 只有Z系列和X系列主板支持3600MHz及以上频率的内存 ， 而B系列和H系列最高仅支持到2666MHz 。
4.5 时序我们在买内存的时候经常会看到有网游提问“这款内存时序怎么样？” ， 也经常会在商品详情页看到关于内存时序的介绍 。 那么内存的时序到底是什么呢？
内存的时序其实就是内存的反应时间 ， 当内存收到CPU发来的指令后 ， 多长时间做出反应 ， 这就是内存的时序 。 要想反应的越快 ， 时序就要越短 。
我们以“CL16-18-18-38”这个时序为例 ， 时序中的四个数字分别对应着“CL-tRCD-tRP-tRAS” 。
CL（CAS Latency）：列地址访问的延迟时间 ， 是时序中最重要的参数
tRCD（RAS to CAS Delay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间
tRP（RAS Precharge Time）：内存行地址选通脉冲预充电时间
tRAS（RAS Active Time）：行地址激活的时间
越低的时序代表颗粒体质越好 ， 超频的潜力也就越大 。 内存的时序会随着频率的增加而增加 ， 内存的延迟可以用这个公式来计算：内存延时=时序（CL x 2000 ）/内存频率 。
DDR：（CL3*2000）/400MHz=15ns
DDR2：（CL5*2000）/800MHz=12.5s
DDR3：（CL9*2000）/1600MHz=11.5ns
DDR4：（CL15*2000）/2133=14ns
即使内存的时序会随着频率的增加而增加 ， 但最后内存的延时并没有太大的变化 。 频率相同时 ， 时序越低 ， 延迟也就越小 。 同样 ， 时序相同时 ， 频率越高 ， 延迟也就越小 。
五、内存选购推荐很多人想知道内存到底多少合适 ， 以我个人的使用体验来说16GB比较合适 ， 办公的话最低最低8GB 。 16GB内存建议8+8组建双通道 ， 两根内存最好买套条（捆绑在一起销售的内存条） 。
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