芯片|成功突破离子注入关键技术，率先开发铌酸锂薄膜芯，厉害了我的国
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对于华为的芯片之争很多人都非常的熟悉了 ， 大家都知道芯片对一个设备的重要性 ， 但是却不知道制造芯片的基本是什么 ， 光刻机是芯片的关键性设备 ， 性能越高的尖端光刻机制造出来的芯片越好 ， 而除此之外还有一个同样重要的物品 ， 那就是制造半导体芯片的基本材料晶圆 。
这一个薄薄的圆片上面是光刻机的主要施展舞台 ， 在上面加工制作各种电路元件变成集成电路产品 ， 这是半导体领域之中是最重要的， 在国家的大力支持下一个研发团队 ， 成功的突破了离子注入这一项关键技术 ， 领先世界率先开发出来铌酸锂薄膜芯片材料 。
越是高集成度的芯片所需要的基片材料越高端 ， 传统的光波导器件尺寸比较大 ， 无法将所有电路元件集中在一块基片上面 ， 而这一个研发团队生产的铌酸锂薄膜厚度为300-700纳米 ， 与传统的基片相比体积大幅缩小 。
这一项技术是在铌酸锂晶片进行离子注入 ， 在另一个表面沉积出来一层二氧化硅 ， 然后进行抛光将两片晶片合在一个 ， 最后高温导致铌酸锂薄膜脱落下来 ， 你们对待这一项技术有什么样的看法？欢迎评论区留言关注！
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