江苏龙网

  1. 首页 > 资讯 > 科技 > >

内存|合肥长鑫有望成全球第四大DRAM厂 17nm内存明年问世

2019年在内存及闪存领域国内各有一个重大突破 ， 长江存储量产了64层3D闪存 ， 合肥长鑫则量产了DDR4内存 ， 后者今年有望成为全球第四大DRAM内存芯片厂 。
在DRAM内存芯片市场上 ， 三星、SK海力士及美光三大公司占据了95%以上的份额 ， 以最新的Q2季度为例 ， 三星一家就占44%左右 ， SK海力士占比约为30% ， 美光在21%左右 ， 留给其他厂商的空间非常小 。
内存|合肥长鑫有望成全球第四大DRAM厂 17nm内存明年问世
文章图片

文章图片

目前全球第四大内存厂商是南亚科技 ， 更早之前是华亚科 ， 不过华亚科已经被美光全资收购了 ， 第五位的南亚就晋升到了第四 ， 但是份额占比约为3%而已 ， 其产能不过7万片晶圆/月 。
这也给了合肥长鑫一个快速超越的机会 ， Digitime爆料称今年底合肥长鑫的产能就有可能超过7万片晶圆/月 ， 这意味着他们有望超越南亚成为全球第四大DRAM芯片厂 。
当然 ， 前面说了 ， 就算长鑫真的做到了 ， 这个第四其实跟前三的差距也非常大 ， TOP3厂商几乎是赢家通吃 ， 产能远高于其他公司 。
目前长鑫量产的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片主要还是19nm工艺的 ， 相比三星等公司也要落伍2-3年时间 ， 提升技术水平也是长鑫的关键 。
好消息是 ， 长鑫预计在2021年搞定17nm工艺内存芯片 ， 差不多相当于业界的1Xnm工艺了 ， 可以继续提升内存的存储密度 。
内存|合肥长鑫有望成全球第四大DRAM厂 17nm内存明年问世
文章图片

文章图片

根据之前的官方信息 ， 以长鑫为代表的安徽半导体行业 ， 在未来2-3年内将推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发 ， 要面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求 ， 研发先进低功耗高速率LPDDR5产品并实现产业化 。
依托DRAM17nm及以下工艺 ， 攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源（电压）技术、片内纠错编码（On-Die ECC）技术 ， 完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发 。
根据资料 ， 合肥长鑫集成电路制造基地项目总投资超过2200亿元 ， 选址位于合肥空港经济示范区 ， 占地面积约15.2平方公里 ， 由长鑫12吋存储器晶圆制造基地（以下简称“基地”）、空港集成电路配套产业园、空港国际小镇三个片区组成 。
【内存|合肥长鑫有望成全球第四大DRAM厂 17nm内存明年问世】其中 ， 长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目是中国大陆第一个投入量产的DRAM设计制造一体化项目 ， 也是安徽省单体投资最大的工业项目 ， 总投资约1500亿元；空港集成电路配套产业园 ， 位于基地以西 ， 总投资超过200亿元；合肥空港国际小镇位于基地以北 ， 规划土地面积9.2平方公里 ， 规划总建筑面积420万平方米 ， 总投资约500亿元 。


    推荐阅读


    上一篇：5G|正业科技赋能5G | 上海CPCA展开幕了，带您领略正业风采

    下一篇：新零售|公牛集团携手上上签 电子签约赋能新零售时代