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强迫症|强迫症有救了！科学家证实：非侵入性磁刺激可消除负面记忆

科学背后是严谨的数据 ， 需要经年累月的尝试与验证 ， 而艺术却有着无限的想象空间 。
「消除负面记忆」 ， 这件我们一直以来希望实现、却又害怕实现的事情 ， 在不少科幻作品中早有所体现；而在现实生活中 ， 利用基因编辑、注射药剂等方式消除令人痛苦的回忆 ， 也开始成为众多科研人员的着眼点 。
一组来自意大利博洛尼亚大学的研究人员提出了一种设想：以非侵入性的方式 ， 对大脑特定部位进行磁刺激 ， 从而删除负面记忆 。
当地时间 7 月 30 日 ， 他们将实验成果发表于学术期刊《当代生物学》（Current Biology） ， 论文题为 State-Dependent TMS over Prefrontal Cortex Disrupts Fear-Memory Reconsolidation and Prevents the Return of Fear（经前额叶皮层的状态依赖性磁刺激干扰恐惧记忆重建、防止恐惧情绪回归） 。
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重复磁刺激实现记忆反固化
要刺激大脑消除记忆 ， 首先要找准位置——「背外侧前额叶皮层」 。
在我们的大脑中 ， 有一块名为前额叶皮层的部位 ， 认知、情绪、疼痛和行为管理等都与之相关 。
顾名思义 ， 前额叶皮层就是我们前额头后面的那部分大脑皮层 ， 灵长类生物在进化中变化最大的也正是这一部位 。
这一部位有多智能呢？如果有人跟你提起一处你曾去过的风景名胜 ， 你的大脑各个部位会提取出相关的信息 ， 比如地理位置、建筑风格、颜色等等 ， 而所有零散的信息只要经过前额叶皮层就可得到整合 ， 所有你记忆中关于那个风景名胜的信息得以输出 。
如下图所示 ， 前额叶皮层包括背外侧前额叶皮层（Dorsolateral Prefrontal Cortex ， dlPFC）和眶额皮层（Orbitofrontal Cortex） ， 而博洛尼亚大学团队选择的是能够控制记忆检索、激活记忆、重组记忆的 dlPFC 。
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找到目标位置后 ， 科研团队就该考虑如何刺激大脑了 。
实际上 ， 要想把一段短期记忆变成长期记忆 ， 大脑就要做出努力 ， 避免这段记忆因为刺激或者伤病受干扰 ， 而这个过程就叫做「固化」（consolidation） 。
可见 ， 想要消除一段记忆 ， 就是要完成固化的反过程 ， 将记忆的状态由稳定变为不稳定 。 而这种反过程被科学家们称为是「反固化」（reconsolidation） 。
博洛尼亚大学团队决定通过重复经颅磁刺激（rTMS）的方式进行反固化 ， 这种方式无痛、无创 ， 可以改变 dlPFC 部位神经活动的磁场 。
至此 ， 消除记忆的原理已经很明确了 。 那么 ， 具体如何操作呢？
研究人员选定了 84 位身体状况良好（这里指没有与实验中将产生的恐惧记忆类似的任何记忆）的参与者进行实验——参与者接受负面刺激形成恐惧记忆 ， 研究人员于次日（24 小时后）通过提示激活参与者的恐惧记忆并观察其反应 ， 再对参与者进行 10 分钟的 rTMS 。
用皮电反应证明可行性
这之后 ， 研究人员对参与者进行了皮电反应（GSR） 。
所谓皮电反应 ， 实际上是心理学领域的一项情绪生理指标 ， 代表着机体受刺激时皮肤电传导的变化 。 这项实验中 ， 皮肤电传导的变化反映了 rTMS 的效果好坏 。
皮电反应的结果显示 ， 在 rTMS 次日（24 小时后） ， 参与者对恐惧记忆的生理反应有显著减少 。
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值得一提的是 ， 前额叶皮层在一定程度上具有不对称性 ， 所以研究人员在实验中分别检测了参与者左右两侧的 dlPFC 变化 ， 并发现 rTMS 次日（24 小时后）左右两侧 dlPFC 对恐惧记忆的生理反应减少的程度相近——也就是说不论在哪一侧 ， rTMS 都发挥了积极效用 。
不过 ， 研究团队也发现下列情况中参与者对恐惧记忆的生理反应并未有任何变化：
在 rTMS 刚进行之后就对参与者进行皮电反应；
对没有恐惧记忆的参与者进行 rTMS 。
更为重要的是 ， 在经过 rTMS 之后 ， 参与者的恐怖记忆也并未恢复 。
综合上述结果来看 ， rTMS 对 dlPFC 的影响将随着时间的推移而变化；在记忆反固化过程中 ， 以无创的方式刺激大脑消除记忆是可行的 。
基于此 ， 研究人员认为：
这些发现为理解恐惧记忆重新整合的机制提供了方向；同时 ， 对于靶向情绪、适应不良记忆也具有潜在临床意义 。 这些发现将对恐惧症、创伤后应激障碍、强迫症等疾病的治疗提供思路 。
这里需要解释的是 ， 在强迫症的范畴中 ， 有一种记忆强迫症 。 其原因在于 ， 由于心理防御意识过强 ， 强迫记忆会带来心理与行为方面的障碍 ， 使得患者整天处于惶恐、焦虑的情绪中 。 有研究表明 ， 记忆强迫症患者时常会将大脑空间都留给各种回忆 ， 因此会出现记忆问题 。
实际上 ， 各地的研究团队已经研发出了不少消除负面记忆的技术 ， 比如：
在大脑特定区域注射异丙酚（一种全身麻醉剂） ， 给药 24 小时后负面记忆得以被破坏；
利用光遗传学技术刺激海马体的特定区域 ， 实现对消极记忆的消除；
开发受光遗传学启发的类脑芯片 ， 通过模仿大脑存储和删除信息的方式消除消极记忆；
基于基因编辑实现特定记忆的精准删除 。
可见 ， 消除负面记忆已经不止存在于艺术家的想象之中 ， 用前沿技术实现科幻作品中的构想成为可能 。
引用来源：
https://doi.org/10.1016/j.cub.2020.06.091
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