|富士通全新4Mbit FRAM，苛刻环境下汽车和工业应用的理想之选
富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布 ， 推出型号为MB85RS4MTY的4Mbit FRAM ， 其容量达到FRAM产品最高水平 ， 运作温度最高可达125℃ 。 目前可为客户提供评测版样品 。
【|富士通全新4Mbit FRAM，苛刻环境下汽车和工业应用的理想之选】这款全新FRAM是非易失性内存产品 ， 在125℃高温环境下可以达到10兆次读/写次数 ， 工作电流低 ， 是工业机器人和高级驾驶辅助系统（ADAS）等汽车应用的最佳选择 。
FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存 ， 并已量产20多年 ， 近年来广泛用于可穿戴设备、工业机器人和无人机 。
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MB85RS4MTY 8-pin DFN（顶部?底部）
自去年发布以来 ， 2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽车和工业设备中获得广泛应用 ， 而MB85RS4MTY将其容量提高了一倍 ， 达到4M bit ， 满足更高容量的需求 ， 配有SPI接口 ， 工作电压为1.8V至3.6V 。 由于这款FRAM工作电流低 ， 即使在125℃高温下 ， 最大工作电流仅为4mA（运作频率50MHz） ， 最大掉电模式电流为30μA ， 因此有助于降低环境敏感应用的功耗 。
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这款全新FRAM在-40℃至+ 125℃温度范围内可以达到10兆次读/写次数 ， 适合某些需要实时数据记录的应用 。 例如 ， 每0.03毫秒重写一次数据 ， 同一地址连续记录数据可达10年之久 。
这款FRAM产品采用业界标准8-pin SOP封装 ， 可轻松取代现有类似引脚的EEPROM 。 此外 ， 还提供8-pin DFN（无引线双侧扁平）封装 。
富士通电子将继续提供内存产品和解决方案 ， 满足市场和客户的未来需求 。
关键规格
? 组件型号：MB85RS4MT
? 容量（组态）：4 Mbit（512K x 8位）
? 接口：SPI（Serial Peripheral Interface）
? 运作频率：最高50 MHz
? 运作电压：1.8V - 3.6V
? 运作温度范围：-40°C - +125°C
? 读/写耐久性：10兆次（1013次）
? 封装规格：8-pin DFN ， 8-pin SOP
词汇与备注
铁电随机存取内存（FRAM）
FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存 ， 即便在没有电源的情况下仍可保存数据 。 FRAM结合了ROM和RAM的特性 ， 并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点 。 富士通自1999年即开始生产FRAM ， 亦称为FeRAM 。
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