台积电|3纳米！2纳米！台积电决战先进制程
近日 ， 有消息称 ， 台积电在2纳米先进制程研发上取得重大突破 ， 已成功找到路径 ， 将切入环绕式栅极技术(gate-all-around简称GAA)技术 。
利用成熟的特色工艺追求更先进的制程 ， 一直是台积电和三星等芯片厂商致力的方向 。 此前 ， 三星表示将在3纳米率先导入GAA技术 ， 表达了其取得全球芯片代工龙头地位的野心 。 此次台积电在2纳米制程研发上取得重大突破 ， 凸显了其强大的研发实力 ， 也让两大芯片代工巨头的竞争加剧 。
由于台积电3纳米工艺预定在2021年量产 ， 其2纳米的推出可能位于2023到2024年之间 。 2纳米制程的率先推出 ， 定然会进一步扩大台积电在先进制程市场份额的占比 ， 甚至可能会拉开与三星和英特尔的差距 。 当然 ， 三星和英特尔也在积极推进研发 。 工艺技术的研发充满变数 ， 未来谁能最终领先还需进一步观察 。
【台积电|3纳米！2纳米！台积电决战先进制程】台积电、三星角逐更先进制程！大家怎么看 ， 欢迎留言评论
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