工艺|武汉新芯50nm NOR Flash全线量产，先进工艺制程领先全球
武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称“武汉新芯”）在其官方新闻中表示 ， 自主研发的 50 纳米浮栅式（50nm Floating Gate）工艺代码型闪存（SPI NOR Flash）芯片已全线量产 。
据了解 ， 武汉新芯 50 纳米闪存技术于 2019 年 12 月取得突破 ， 随后投入量产准备 。从 65 纳米到 50 纳米的跃升 ， 武汉新芯用了 18 个月 。
NOR 闪存不同于 NAND 闪存 ， 性能及容量全都落后于后者 ， 但是可靠性高 ， 目前主要用于各种嵌入式领域 ， 比如车载电子、物联网等等 ， 而武汉新芯是国内主要的 NOR 闪存供应商之一 。
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武汉新芯科技 XMC 公司研发的 50nm 工艺、浮栅极 NOR 闪存正式量产出货 ， 容量 16Mb 到 256Mb ， 工作温度范围可达 -40℃到 105℃ 。
别小看 50nm 工艺 ， 其实当前全球 OR 闪存主流工艺还停留在 90-65nm 工艺 。这也意味着在 NOR 领域 ， 武汉新芯科技公司成为中国乃至世界领先的 NOR Flash 供应商之一 。不得不说新芯科技这次量产的 50nm 工艺 NOR 已经很先进了 ， 未来可应用于物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案 。
【工艺|武汉新芯50nm NOR Flash全线量产，先进工艺制程领先全球】至少从现在来看 ， 国产内存、闪存已经取得了不错的成绩 ， 让中国存储看到了希望 。中国手机品牌也将逐步摆脱国外内存的控制 。
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