|台积电突破2nm SoC，2023年有望量产
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【|台积电突破2nm SoC，2023年有望量产】
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台积电（TSMC）成立于1987年 ， 开创了纯晶圆代工商业模式的先河 ， 一直是全球最大的专用半导体代工厂 。 #特朗普承认劝说多国停用华为#
台积电通过提供最专业和先进的包装技术服务 ， 在2019年部署了272种不同的工艺技术 ， 并为499个客户生产了10761种产品 。 台积电是第一家提供5纳米生产能力的代工厂 ， 这是世界上最先进的半导体工艺技术 。
台积电名声大振、被更多人所知道 ， 还有个因素是美国将华为加入“实体清单” ， 并在今年5月加大制裁力度后 ， 将箭头直接指向台积电 ， 意味着未经许可 ， 台积电不得为华为代工制造其麒麟芯片 。 随着观虎毒增高 ， 台积电被更多人知道 。
据说这家半导体制造商率先采用了基于GAA-FET的升级版2nm工艺 。 最新的报告是 ， 它有望在2023年进入批量生产 。 台积电已经凭借基于5nm和3nm工艺的SoC领先业界 。
相关报道表明 ， 台积电将选择GAA-FET并放弃旧的Fin-FET工艺 。 据说这种转变的原因是 ， 较旧的Fin-FET在3nm工艺上可能存在瓶颈 。
虽然台积电尚未对此发表正式评论 ， 但报道称它将宣布 。 根据该报告 ， 台积电将在下一届年度技术论坛上正式任命该工艺 。
2nm是一个术语 ， 用于表示芯片上每个晶体管之间的距离 。 较小的距离将导致有效的功耗 。 如果报道属实 ， 那么台积电将在2023至2024年进行量产 。
台积电2nm：GAA-FET与Fin-FET
在谈到GAA-FET和Fin-FET时 ， 它们代表了全方位栅极和鳍式场效应晶体管模型 。 GAA-FETakaSGT的设计类似于Fin-FET ， 但栅极材料围绕通道的所有侧面 。
据报道 ， 低于3nm的Fin-FET会引起散热问题 。 减小低纳米芯片的厚度似乎会引起诸如电子迁移率降低和电流泄漏之类的问题 。 另一方面 ， GAA-FET在电气控制方面占优势 ， 电流泄漏少 ， 这是因为通道的所有侧面都围绕着通道 。
引领硅技术发展之路
值得一提的是 ， 该公司去年正式宣布建立全球首个2nm工艺研发中心 。 根据较早的报道 ， 台积电已经开始批量生产5nm ， 而升级后的3nm技术则需要一两年的时间 。
台积电为高通公司推出的首款5纳米将是Snapdragon875SoC ， 并且最近已经进入批量生产 。 据说SoC在1+3+4组合的内核方面取得了突破 ， 其中单核将是ARM的SupercoreCortexX1 ， 比A77提升了30％ 。
另一方面 ， 台积电的竞争对手三星公司也宣布将使用GAA-FET并跳过4纳米制程 ， 并开发3纳米制程 ， 以应对台积电 ， 三星已经在努力实现3纳米工艺 。
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