芯片|被日美垄断的存储芯片，中国巨头仅用3年时间，成功打破技术封锁
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存储器需求量在芯片市场中位于榜首 ， 但其市场集中度却颇高 ， 2019年第四季度 ， 有99.5%的市场份额为三星、铠侠、西部数据等六大厂商所占据 。 中国作为半导体需求大国 ， 每年用于进口存储器的费用便高达2500亿美元 。 不过 ， 我国存储器企业也正在迎头赶上 ， 有望扭转这一情况 。
作为我国存储其巨头的长江存储 ， 可以说是中国存储器的领军者 ， 我国首款3D NAND闪存便是出自长江存储之手 。 在2016年7月 ， 长江存储设计完成了32层3D NAND闪存测试芯片 。 在2018年第三季度时 ， 长江存储实现了该芯片的量产 ， 带领我国存储器领域实现了突破 。
而在今年4月 ， 长江存储更是跳过96层 ， 直接从32层跳到了128层堆栈闪存 ， 推出了首款128L QLC NAND ， 赶上了业界一流的水平 。 于2016年7月成立的长江存储 ， 短短几年间便在三维存储闪存芯片领域实现从无到有 ， 再到与国际同样齐头并进 ， 表现令人瞩目 。
如今 ， 长江存储的128L QLC 3D NAND芯片再攀新高 ， 创下最高单位面积存储密度、最高单颗三维闪存芯片容量与最高传输速度这三大“最” 。 作为我国NAND闪存领域主要玩家的长江存储 ， 不断缩小着与三星之间的差距 ， 从32层到128层 ， 长江存储仅用了3年的时间 ， 而三星则用时5年 。 如今二者之前的距离已被缩短至1年内 。
据悉 ， 长江存储的128层3D NAND有望于今年年末到2021年年初实现量产 。 彼时 ， 长江存储将从存储器领域的防守者变为进攻者 ， 并有望打破存储芯片被日美企业垄断的局面 ， 实现技术突破 。 值得注意的是 ， 因疫情而受耽搁的长江存储国家存储基地二期项目也顺利开工 ， 其建设地点位于武汉东湖 。
该项目以提高产能为主 ， 建成后其3D NAND芯片的月产能有望达到20万片 ， 将大大减少我国对于日美韩企业的依赖 ， 掌握话语权 。 除长江存储之外 ， 合肥长鑫与福建晋华也是我国重要的存储芯片企业 ， 在三者发力之下 ， 将扭转如今存储芯片的格局 。
【芯片|被日美垄断的存储芯片，中国巨头仅用3年时间，成功打破技术封锁】存储芯片被誉为“工业粮食” ， 而如今全球云计算、服务器、人工智能、5G等领域的大热 ， 更是让存储器需求量与日俱增 。 面对庞大的市场与行业垄断的现状 ， 长江存储能否脱颖而出 ， 十分值得期待 。
文/BU 审核/有鱼
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