砍柴网|格芯最新FinFET工艺12LP＋研发成功：性能增加2成
在过去一段时间里 ， 格芯已经放弃了对于10nm一下制程的研发投入 ， 同时还大力精简投资 ， 出售旗下部分晶圆厂 。 不过 ， 对于其现有的成熟工艺 ， 格芯依旧保持了极高的优化热情 。
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【砍柴网|格芯最新FinFET工艺12LP＋研发成功：性能增加2成】
最近 ， 格芯正式对外宣布 ， 旗下最先进的FinFET 12LP+工艺完成研发 ， 并已准备正式投产 。 按照官方说法 ， 12LP+的性能较前代（12LP）增加了20%、面积则减少了10% 。 这些参数的进步 ， 主要得益于改进的模拟布局设计法则、新的低压SRAM、独立 鳍片单元和性能驱动的区块优化组件 。
目前 ， 12LP+已在当下火热的AI训练芯片领域通过了IP验证 ， 可以在很大程度上压缩成本 ， 产生更大价值 。 另外 ， 格芯也在丰富12nmLP+的IP组合包 ， 目标包括PCIe 3/4/5、USB 2/3主控芯片、HBM2/2e显存、DDR/LPDDR4/4X芯片、GDDR6芯片等 。
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据了解 ， 格芯的12nmLP+将主要放在美国本土纽约州Malta的Fab8工厂生产 ， 今年下半年内会有多套方案流片 。
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