国产上海微电子研发的光刻机对比ASML:差距无法接受
早前确实有相关的报道说上海微电子装备有限公司预计2021年要推出28nm光刻机 , 但是这一消息官方并没有进行公布 , 也就是它的可信度并不是很高 , 目前上海微电子做的光刻机还是以90nm为主 , 28nm技术应该还是实现不了量产 。

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最近老美对于华为打压升级 , 让芯片、光刻机等东西变得非常热门 , 越来越条友开始关注我们国产光刻机究竟处于什么水平 , 能不能摆脱对美方技术依赖 。 而我们国产光刻机处于比较领先的还是上海微电子 , 关于这个水平一直受到人们争议 。

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一些媒体报道说国产光刻机目前能够达到5nm水平了 , 而一些媒体又说国产光刻机还是处于一个90nm阶段 , 而在2018年时也曾经报道下面这条消息 。 中科院的“超分辨光刻装备研制”通过相关验收 , 它的光刻分辨力达到22nm , 结合双重曝光技术后 , 未来还可用于制造10nm级别的芯片 。

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上面还是处于实验室阶段 , 也就是离真正商用量产还是需要不少时间来检验 。 而关于这个5nm和90nm水平 , 不少朋友应该是混淆了光刻机和蚀刻机这两个不同机器 。 中微半导体的蚀刻机确实达到了5nm水平 , 而国产光刻机仍然处于90nm水平 。

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现阶段来说上海微电子做的还是突破达到28nm水平 , 因此这个11nm消息可信度一点也不高 。 这里一部分条友会有疑问 , 中芯国际前段时间已经不是替华为代工14nm工艺芯片了(荣耀Play4T搭载这款芯片) 。 其实这里也要明白 , 中芯国际用的也是荷兰ASML光刻机 。 目前中芯国际得到了大量的资金投资 , 现阶段它主要目标还是突破7nm技术 , 也就是未来可以代工7nm工艺芯片 。

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【国产上海微电子研发的光刻机对比ASML:差距无法接受】对于光刻机这个东西是急不得 , 首先这个基础的28nm也没有突破 , 就想着说直接达到这个11nm , 确实有点像做梦一样 。 想要在光刻机有所突破 , 一方面要加大相关的研发投入 , 研发如果跟不上一切都是纸上谈兵 。
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