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预计 4 分钟读完南大光电193nm光刻胶进入测试阶段，国产替代趋势愈加明显


南大光电193nm 光刻胶产品正在测试阶段 ， 公司将在新基建的发展中 ， 紧紧抓住“替代进口”的机遇 ， 为国内集成电路产业的发展突破瓶颈和国产化做出积极的贡献 。
半导体光刻胶根据曝光光源波长的不同来分类 。 常用曝光光源一共有六种 ， 分别是紫外全谱（300～450nm）、G 线（436nm）、I 线（365nm）、深紫外（DUV ， 包括 248nm 和 193nm）和极紫外（EUV） ， 相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生 。
不同的光刻胶中 ， 根据不同的需求 ， 关键配方成份如成膜树脂、光引发剂、添加剂等也有所不同 ， 使得光刻胶有不同的性能 ， 进而能够满足相应的需求 。 目前英特尔 ， 三星等大的半导体制造商 ， 芯片产品已经将量产工艺推进到了 14nm 至 28nm 区间 ， 这个也代表目前量产的最高工艺 。
所以以上光刻胶种类里 ， 能够采用 193nm 激光光源的浸润 ArF 线光刻胶 ， 是唯一能够满足应用的光刻胶产品 ， 具有极高的技术壁垒 ， 是半导体光刻胶高精尖的代表 。

预计 4 分钟读完南大光电193nm光刻胶进入测试阶段，国产替代趋势愈加明显
本文插图

2018 年全球半导体用光刻胶市场 ， G 线＆I 线、KrF、ArF＆液浸、ArF 三类光刻胶三分天下 ， 占比分别占 24％、22％、42％ 。 其中 ， ArF／液浸 ArF 光刻胶主要对应目前先进 IC 制程 。
未来 ， 随着功率半导体、传感器、LED 市场的持续扩大 ， I 线市场将持续增长 。 而随着精细化需求增加 ， I 线光刻胶将被 KrF 光刻胶替代 ， KrF 光刻胶市场需求将不断增加 。
在全球半导体光刻胶领域 ， 主要被日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、罗门哈斯、日本信越、富士材料等头部厂商垄断 。 相较之下 ， 中国企业份额不足 10％ ， 半导体光刻胶和 LCD 光刻胶都严重依赖进口 ， 虽然国内光刻胶产业尚不成熟 ， 但是 ， 国内企业已迎来代替窗口 。
第一、新建晶圆厂投产：2020 年～2022 年是中国大陆晶圆厂投产高峰期 ， 以长江存储 ， 长鑫存储等新星晶圆厂和以中芯国际 ， 华虹为代表的老牌晶圆厂正处于产能扩张期 ， 未来 3 年将迎来密集投产 。
第二、光刻胶代替窗口期：根据光刻胶的特性来推断 ， 新建晶圆厂将是光刻胶国产代替的主要发展企业 。 国内新建晶圆厂的密集投产为光刻胶打开了最佳代替窗口 。 世界面板产能持续向中国转移 ， 国内面板光刻胶市场需求预计约为 105 亿元 。 二者合计将带来约 160 亿元的市场空间 。 而且在全球经济矛盾的情况下 ， 产业地位更加重要了 。
光刻胶技术在半导体制造中至关重要 ， 国产替代势在必行 。 目前光刻胶的国产化正在加速 ， 但是半导体和 LCD 高端光刻胶技术与国外有较大差距 。 在自主研发 ， 原材料依赖 ， 厂商不易切入供应链和稳定商用等方面还是有很大的阻碍 。
【预计 4 分钟读完南大光电193nm光刻胶进入测试阶段，国产替代趋势愈加明显】但随着电子信息产业向中国转移和配套产业链的完善 ， 未来进口替代是趋势所向 ， 其中大部分中低端产品已实现进口替代 ， 部分优秀企业已在高端产品进口替代上取得了重大突破 ， 进口替代趋势愈加明显 ， 国产替代或即将实现 。


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