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中芯国际：拟科创板上市，募资资金加速先进制程追赶

中芯国际：拟科创板上市，募资资金加速先进制程追赶
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中芯国际拟申请科创板上市
近日 ， 中芯国际发布公告称 ， 公司将向上海证交所申请批准人民币股份于科创板上市及交易 。 公司将予发行的人民币股份的初始数目不超过1,685,620,000股股份 ， 占不超过二零一九年十二月三十一日已发行股份总数及本次将予发行的人民币股份数目之和的25% 。 就不超过该初始发行的人民币股份数目15%的超额配股权可被授出 。 人民币股份将全为新股份 ， 并不涉及现有股份的转换 。
中芯国际在科创板的上市 ， 将是科创板红筹回归第一股 。 今年是中芯国际成立20周年 ， 目前公司已经是国内规模最大 ， 工艺最先进的本土晶圆代工厂 。 中芯国际的注册地在开曼群岛 ， 但公司超过一半的收入来自大陆 。 目前 ， 公司已于2004年在香港上市 。
【中芯国际：拟科创板上市，募资资金加速先进制程追赶】募集资金主要为发展先进制程
根据中芯国际的规划 ， 扣除发行费用后 ， 科创板IPO募集资金拟作以下用途：
约40%用于投资12英寸芯片SN1项目
约20%用作为公司先进及成熟工艺研发项目的储备资金
约40%用于补充流动资金
12英寸SN1项目是中芯国际旗下专注于14nm及以下先进制程工艺的中芯南方工厂 。 中芯南方规划建设SN1、SN2两条12英寸生产线 ， 生产工艺为14nm及以下先进制程 ， 规划产能均为3.5万片/月 ， 产品主要面向下一代移动通讯和智能终端 。
中芯国际：拟科创板上市，募资资金加速先进制程追赶
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中芯国际2019年财报显示 ， 其第一代14nmFinFET技术已经开始量产 ， 并已贡献了约1%的当季晶圆收入 。 2020年 ， 14nmFinFET技术将稳健上量 ， 第二代FinFET技术平台也将持续客户导入 。
根据中芯国际联席CEO梁孟松的规划 ， 14nmFinFET技术月产能将在今年3月达到4K ， 7月达到9K ， 12月达到15K 。 14nm之后还有改进型的12nmFinFET工艺 ， 该工艺相比14nm在晶体管尺寸进一步缩微 ， 功耗降低20%、性能提升10% ， 错误率降低20% ， 预计今年上半年就会实现贡献收入 。 同时 ， 梁孟松博士表示未来还有N+1、N+2代工艺 ， N+1代工艺和14nm相比 ， 性能提升了20% ， 功耗降低了57% ， 逻辑面积缩小了63% ， SoC面积减少了55% 。
台积电、三星领衔先进制程
全球先进制程中 ， 台积电、三星处于领先地位 。 特别是台积电 ， 目前5nm已开始量产 ， 是全球先进制程的绝对龙头 。
根据台积电2019年财报来看 ， 7nm工艺是出货量最大的制程 ， 在四季度营收中占比超过了三分之一 ， 达到35% 。 其他工艺的制程中 ， 16nm的出货量占20% ， 10nm为1% ， 算上7nm的35% ， 台积电16nm及更先进工艺芯片在去年四季度的出货量就占到了56% 。
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最先进的5nm制程方面 ， 台积电已处于领先地位 ， 并已经拿到苹果及华为的5nm工艺订单 。 三星在5nm制程已处于相对落后状态 ， 目前正在加速韩国华城5nm生产工厂V1的建设 ， 预计6月底之前完成生产线建设 ， 今年年底才能实现量产 。
为实现先进制程的追赶 ， 三星开始布局3nm制程 。 三星电子旗下的三星晶圆代工 ， 此前设定的目标是在2021年大规模量产3nm工艺 。 但由于当前疫情的影响 ， 对物流和交通运输服务都造成了障碍 ， 导致3nm工艺所需的EUV光刻机和其他关键设备交付延期 ， 从而可能将导致量产的时间推迟 。
此外 ， 英特尔开始加速先进制程的进展 。 按照英特尔的发展规划 ， 英特尔的7nm工艺将在2021年开始采用 ， 7nm+和7nm++则会在随后的两年分别推出 。
投资建议
目前 ， 中芯国际的14nm才开始量产 ， 与台积电、三星等国际巨头差距较大 。 此次科创板上市 ， 有利于公司募资资金加速先进制程的研发 。 毕竟 ， 先进制程的研发需要大量的资金 。 2019年中芯国际用于晶圆厂的资本开支约为20亿美元 ， 预计2020年公司的晶圆代工资本支出约31亿美元 ， 主要用于建造中芯南方12英寸晶圆厂 。 投资建议上 ， 我们依然看好半导体行业各细分领域的龙头公司 ， 建议关注国内存储及MCU龙头兆易创新、国内半导体检测设备龙头华峰测控、功率半导体龙头闻泰科技等 。


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