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2.5亿/mm2，台积电公布3nm工艺细节，晶体管密度是7nm的3.6倍

台积电3nm工艺首选FinFET晶体管技术 。
台积电3nm工艺晶体管密度达到了2.5亿/mm2 。
继公布2020年第一季度财报 ， 净利润远高于去年同期后 ， 台积电又公开了自研最新3nm工艺的细节：晶体管密度达2.5亿/mm2 ， 是7nm工艺的3.6倍 ， 可将奔腾4处理器缩小到普通针头大小 。
2.5亿/mm2，台积电公布3nm工艺细节，晶体管密度是7nm的3.6倍
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基于如此高的晶体管密度 ， 台积电3nm工艺的整体性能也较前几代工艺有了很大程度的提升 ， 较7nm工艺性能提升15% ， 能耗提升30%；较5nm工艺性能提升7% ， 能耗提升15% 。
根据台积电公布的今年一季度财报 ， 在制程工艺上 ， 7nm工艺营收占总营收的35% ， 10nm工艺占营收的0.5% ， 16nm工艺占总营收的19% ， 可见当前先进工艺是台积电营收的重要组成部分 。
【2.5亿/mm2，台积电公布3nm工艺细节，晶体管密度是7nm的3.6倍】而在公布财报后的电话会议上 ， 台积电也透露 ， 3nm工艺研发进程没有受到疫情影响 ， 依旧首选成本和能效都上佳的FinFET晶体管技术 ， 并且将持续投入 ， 预计在2021年进入风险试产阶段 ， 2022年下半年量产 。
与此同时 ， 同样在3nm工艺上持续投入的三星也正积极促进该工艺量产 ， 不过它们选择的是GAA环绕栅极晶体管技术 ， 可见三星对3nm委以重任 。
从当前来看 ， 两家公司的3nm工艺研发进程基本一致 ， 虽然三星曾计划在2021年量产该工艺 ， 但受疫情影响推迟到了2022年 ， 究竟谁能率先进入量产阶段 ， 我们拭目以待 。


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