『』功耗降低50%!三星2022年交付3nm产品
半导体行业的竞争往往很激烈 , 即使受疫情影响 , 各大半导体代工厂的产能都有所减缓 , 但是原有步骤并未放缓 。近日 , 有媒体报道 , 三星将在2022年推出3nm制程工艺产品 , 并对晶体管技术进行重大改造 , 该新技术可以更好的控制晶体管通道 , 防止电荷泄露问题 。
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【『』功耗降低50%!三星2022年交付3nm产品】值得注意的是 , MCBFET是GAAFET的一部分 , 就MCBFET性能而言 , 三星表示该技术将减少50%的功耗 , 同时提供30%的性能 。密度预测也将大大提高 , 三星公司预测 , 每一个晶体管占用的硅空间将减少约45% 。
与普通的FinFET相比 , 该技术允许将晶体管堆叠在彼此的顶部 , 从而使其固有地使用更少的空间 。MCBFET GAA晶体管可灵活调节其晶体管宽度 , 这意味着整个堆叠晶体管的宽度可达到设计人员所需的宽度 。
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