长江存储发布128层QLC闪存,追平三星、美光等国际存储大厂

4月13日 , 长江存储正式发布两款128层3DNAND闪存 。 其中型号X2-6070作为业内首款128层QLC(每个存储单元可存储4bit数据) , 可提供1.33Tb的单颗存储容量 , 具有当前全球已知型号的产品中最高存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量;另一款型号为X2-9060的128层TLC(每个存储单元可存储3bit数据) , 亦拥有512Gb存储容量 , 存储阵列面积利用效率超过90%(存储阵列面积/芯片总面积) , I/O传输速度实现1.6Gb/s高性能 。
长江存储市场与销售高级副总裁龚翊指出 , 32层开始量产的时候 , 长江存储与国际主要厂商之间还是存在一定的差距 , 大概落后了4~5年 。 64层产品推出时差距已经缩小到2年 , 因为64层产品密度更高 , 接近于96层产品的水平 , 所以真正的差距只有1年 。 随着此次128层产品的发布 , 基本上已经和业界主流厂商站在同一个水平线上 。 128层QLC3DNAND作为全球首发的产品应该说 , 还领先于业界主要对手 。
长江存储目前拥有一座12英寸晶圆厂 , 规划满载产能为10万片/月 , 业内预计2020年年底之前达到5万片/月 , 后续将会根据市场情况进一步扩大 , 128层产品大量的上市时间预计将在2021年 。
长江存储发布128层QLC闪存,追平三星、美光等国际存储大厂
文章图片
长江存储X2-6070128LQLC1.33Tb3DNAND
国际存储大厂的技术路线图:
【长江存储发布128层QLC闪存,追平三星、美光等国际存储大厂】三星:2019年6月推出128层TLC3DNAND , 存储容量256Gb , 8月实现量产 , 11月将存储容量提高到单颗芯片512Gb水平;
SK海力士:2019年6月发布128层TLC3DNAND , 预计2020年进入投产阶段;
美光:2019年10月宣布128层3DNAND流片出样 。
铠侠:今年1月31日发布112层TLC3DNAND , 量产时间预计将在2020年下半年 。
可以看出 , 国际存储厂商发布与量产128层3DNAND量产的时间基本落在2019-2020年 。 长江存储自2016年投资建厂后 , 于2018年投产32层3DNAND闪存 , 2019年9月开始生产基于Xtacking架构的64层3DNAND闪存 , 现在再次发布128层3DNAND闪存 , 基本与国际厂商保持了同步 。 在QLC、I/O速度等方面甚至走在了国际厂商的前面 。


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