「堆满杂物的书桌」美光将量产基于RG架构的NAND闪存，年底出货
【「堆满杂物的书桌」美光将量产基于RG架构的NAND闪存，年底出货】最近 ， 美光在二季度财报电话会议上透露出自己的新计划 ， 那就是他们即将要开始量产基于全新RG架构的第四代3DNAND存储器 。 
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据悉 ， 美光将会在2020年第三季度对第四代3DNAND存储器开始生产 ， 并在第四季度向客户发货 。 第四代3DNAND存储器是美光一次重大的技术转型 ， 该公司用替换门(RG)技术取代了与英特尔合作时期使用了多年的传统浮栅技术 ， 而且 ， 此次的第三代存储器层数达到了128层 。 美光RG技术的完整设计 ， 而且希望本次技术转型可以将管芯尺寸减小、减低成本、提高性能 ， 并且更加轻松的过渡到更多层的下一个节点 。 
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目前美光也向投资者表明 ， 新产品量产工作要尽早开展 ， 但是 ， 他们也不会再今年全部转型生产RG架构芯片 ， 因为早期的良率还有再提高的空间 。 美光首席执行官SanjayMehrotra表示 ， 美光在向RG技术过渡方面取得了很重达的进展 ， 到2020年底 ， 这项技术将会成为NAND总供应量重要的组成部分
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