中芯国际概述N+1节点投产计划 较14nm更具成本优势
去年 ， 中芯国际表示将在四季度开启基于14nmFinFET制程的量产芯片 。 同时 ， 该公司也在努力开发下一代主要节点（N+1） ， 宣称具有可媲美7nm工艺的部分特性 。 与中芯国际自家的14nm制程相比 ， N+1可在性能提升20%的同时降低57%的功耗、并将逻辑面积减少了63% 。
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资料图（来自：SMIC）
但实际上 ， 中芯国际表示N+1并不等同于7nm技术 。 尽管新工艺可让SoC变得更小、更节能 ， 但N+1带来的性能提升 ， 仍无法与7nm竞品做到旗鼓相当 。
有鉴于此 ， 中芯国际将N+1定位于更具成本吸引力的芯片制造技术 。 该公司发言人称：“N+1的目标是低成本应用 ， 与7nm相比 ， 其优势在10%左右” 。
此外 ， 中芯国际的N+1工艺并未使用极紫外光刻（EUVL） ， 因此该晶圆厂无需从ASML购买其它昂贵的设备 。
这并不说明该公司没有考虑过EUV ， 其确有获得EUV步进扫描系统 ， 但有报道称因美方施压而尚未安装 ， 导致中芯国际只得等到N+2工艺时采用上EUV 。
如果一切顺利 ， 中芯国际有望在2020年4季度开始N+1制程的风险试产 ， 并于2021或2022年转入大批量生产 。
【中芯国际概述N+1节点投产计划 较14nm更具成本优势】【来源：cnBeta.COM】
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