尽管局部放电测试标准在DIN VDE V 0884-11中并未更改 ， 但了解局部放电测试对隔离组件的相关性非常有用 。 即使二氧化硅不存在局部放电的现象 ， TI和VDE仍测试基于二氧化硅的数字隔离器的局部放电 。 光耦合器使用局部放电测试作为一种手段来筛选出在电介质中形成多余空气气泡的不良量产器件 。 虽然局部放电测试可以排除有缺陷的器件 ， 但是要注意 ， 它不能作为最低保证寿命测试 ， 只有在数字隔离器上进行的TDDB测试才是一个精确的寿命测试过程 。
通过认证 ， 设备制造商可以在全球范围内使用隔离器件来满足其终端应用程序设计要求 ， 并了解隔离器是否能够在其整个生命周期内可靠地工作 。 针对认证要求的更新和修订（如DIN VDE中的要求）可确保高电压安全性要求始终有意义且尽可能严格 。 如果器件制造商不能保证满足DIN VDE V 0884-11的要求 ， 那么设备制造商对现有和未来设计的电路板隔离器件进行检查以确保它们仍然满足认证要求就变得至关重要 。
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