售价1亿美元以上的EUV光刻机 , 该机重达180吨 , 超过10万个零件 , 需要40个集装箱运输 , 安装调试需要超过一年时间 。 3 中国的后发追赶 我国光刻机设备的研制起步也不晚 。 从上世纪七十年代开始 , 先后有清华大学精密仪器系、中科学院光电技术研究所、中电科45所投入研制 。 其中 , 清华大学精密仪器系研制开发了分步重复自动照相机、图形发生器、光刻机、电子束曝光机工件台等半导体设备 。 另外 , 中科学院光电技术研究所在1980年研制出首台光刻机 , 中电科45所1985年研制我国同类型第一台 g线1.5um分步投影光刻机等等 。 不过 , 八十年代底 , 中国一大批企业纷纷以“贸工技”为指导思想 。 产业抛却独立自主、自力更生的指导方针 , 盲目对外开放 。 由于没有了顶层设计 , 中国的集成电路在科研 , 教育以及产业方面出现了脱节: 研发方面单打独斗 , 科 研成果转化成产品微乎其微 。
2000年之后 , 中国半导体产业幡然醒来 。 进入了海归创业和民企崛起的时代 。 中星微的邓中翰于1999年回国 , 中芯的张汝京于2000年回国 , 展讯的武平和陈大同于2001年回国 , 芯原的戴伟民于2002年回国 , 兆易的朱一明于2004年回国 。 他们带着丰富的经验和珍贵 , 涌入了中国半导体产业的大潮 。 中国半导体厂商的发展 , 使得他们需要采购更多光刻机设备 , 而这推动了国内光刻机发展 。 目前国内从事集成电路前道制造用光刻机的生产厂商只有上海微电子和中国电科旗下的电科装备等 。 不过 , 尽管中国在后道光刻机在市场上有不俗表现 , 但在ASML、尼康、佳能统治的前道光刻市场上则几乎空白 。 国内的长江存储、中芯等也选择了ASML的前道光刻机 。 要真正实现不被“卡脖子” , 这一领域还有待奋发突破 。 附录:光刻工艺的过程 第一步:铺胶 涉及流体力学、表面物理和化学
第二步:量测与曝光 量测 涉及 光学、数学
曝光 涉及 光学、数学、高分子物理与化学、表面物理与化学
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