三星5nm EUV工艺关键突破：能效提升25％
眼下 ， 台积电和三星都在全力冲刺5nm工艺 ， 这将是7nm之后的又一个重要节点 ， 全面应用EUV极紫外光刻技术 ， 提升效果会非常明显 ， 所以都受到了高度重视 。
现在 ， 三星的5nm取得了重要进展 ， 来自EDA(电子自动化设计)巨头Cadence、Synopsys的全流程设计工具已经通过了三星5LPE(Low Power Early)工艺的认证 ， 可以帮助芯片厂更快速地开发高效的、可预测的芯片 。
本次验证使用的是ARM Cortex-A57、Cortex-A53芯片 ， 结果完全符合三星新工艺的需求 ， 但是三星未透露更具体的指标 ， 如核心数、频率、功耗等 。
三星5LPE工艺仍然使用传统FinFET立体晶体管 ， 但加入了新的标准单元架构 ， 并同时使用DUV、EUV光刻技步进扫描系统 。
由于继承了旧工艺的部分指标 ， 使用三星5LPE工艺设计芯片的时候 ， 可以重复使用7LPP IP ， 同时享受新工艺的提升 。
三星7LPP工艺将是其第一次导入EUV ， 但只有少数光刻层使用 ， 5LPE会扩大使用范围 ， 效果更加明显 。
按照三星的说法 ， 5LPE工艺相比于7LPP工艺可以带来25％的逻辑电路能效提升 ， 同时可将功耗降低20％ ， 或者将性能提升10％ 。
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